ترانزیستور اثر میدان فلز-نیمه هادی در تکنولوژی سیلیسیم روی عایق با استفاده از یک تکه اکسید اضافی در کانال برای کاربردهای توان و فرکانس بالا
چکیده
چکیده: در این مقاله یک ساختار جدید از ترانزیستور اثر میدانی فلز نیمههادی در تکنولوژی soiمعرفی میشود که مشخصات dcو فرکانسی بهتری نسبت به ساختارهای متداول دارد. ایده اصلی مقاله بر مبنی تغییر چگالی حاملها توسط یک تکه اکسید اضافی چسبیده به لایه مدفون اکسید در سمت درین است. بهبود عملکرد قطعه توسط شبیهساز دوبعدی بررسی میشود. در ساختار پیشنهادی ولتاژ شکست از v13 در ساختار متداول به v19 در ساختار جدید افزایش یافته و بهبودی حدود 47% داشته است لذا توان ماکزیمم ساختار از w/mm 19/0 به w/mm 25/0 بهبود یافته است. همچنین به دلیل کاهش خازن گیت-درین و خازن گیت-سورس مشخصههای فرکانسی ازجمله فرکانس قطع و ماکزیمم فرکانس نوسان و نویز بهبود یافته است. نتایج نشان میدهد که ساختار پیشنهادی مشخصههای توان و فرکانسی بهتری نسبت به ساختار متداول ترانزیستورهای اثر میدانی فلز-نیمههادی در تکنولوژی soi را دارا است.