تاثیر خواص مواد نیمرسانا و ساختار مِسفِت برمشخصه های انتقال الکترون در افزاره (شبیه سازی مونت کارلو)
چکیده
در این مقاله به بررسی نقش خواص ذاتی مواد نیمرسانای مرکب، از جمله اختلاف انرژی بین دره های l و در ماده، جرم مؤثر حامل و همچنین فرایندهای پراکندگی برمشخصه های انتقال الکترون در کانال مِسفِت می پردازیم. به علاوه، تأثیر ساختار مِسفِت بر مشخصه های انتقال الکترون را در افزاره مطالعه می کنیم. برای بررسی این موضوع ساختار مِسفِت ingaas تعبیه شده برروی بستر نیم عایق inp و ساختار مِسفِت inp را با روش مونت کارلو شبیه سازی کرده و نتایج حاصل را با نتایج به دست آمده از شبیه سازی ساختار مِسفِت gaas مقایسه می کنیم. از بین این سه ترانزیستور، مِسفِت ingaas بهترین مشخصه سرعت را از خود نشان می دهد. با هدف بهبود بیشتر مشخصه سرعت در ترانزیستور اخیر علاوه بر اضافه کردن لایه درین کم غلظت (ldd) در کنار درین، برای اولین بار سورس را با inp جایگزین می کنیم. این ساختار، بزرگترین مقدار متوسط سرعت الکترون را در سراسر کانال در مقایسه با سایر مِسفِت ها نتیجه می دهد