پایداری سامانه اندازه گیری طول عمر پوزیترون و بررسی نوع و غلظت عیب ناشی از تابش الکترون های ۱۰ مگا الکترون ولتی بر نمونه های سیلیکونی نوع n و p

اسماعیل طیب فرد، e tayebfard department of physics, university of sistan and baluchestan, zahedan, iranگروه فیزیک، دانشگاه سیستان و بلوچستان، زاهدان علی اکبر مهمان دوست خواجه داد، a a mehmandoost khajeh dad department of physics, university of sistan and baluchestan, zahedan, iranگروه فیزیک، دانشگاه سیستان و بلوچستان، زاهدان مرتضی خاقانی، m khaghani department of physics, university of sistan and baluchestan, zahedan, iranگروه فیزیک، دانشگاه سیستان و بلوچستان، زاهدان مرتضی جعفرزاده خطیبانی، m jafarzadeh khatibani department of physics, university of sistan and baluchestan, zahedan, iranگروه فیزیک، دانشگاه سیستان و بلوچستان، زاهدان علی محمد پورصالح، a m poorsaleh atomic energy organization of iran,yazd radiation processing center, yazd, iranسازمان انرژی اتمی ایران، مجتمع پژوهشی کاربرد پرتوها، یزد

چکیده

طیف سنجی طول عمر نابودی پوزیترون در ماده، یکی از روش های با ارزش و غیر مخرب در زمینه مطالعه مواد است که می تواند اطلاعاتی در مورد چگالی الکترونی، غلطت عیب، نوع عیب و اتم های اطراف عیب ارائه دهد. در این تحقیق، پایداری زمان سنجی دستگاه بررسی و اثبات شده است. قدرت تفکیک زمانی دستگاه با چشمه کبالت، 365 پیکوثانیه به دست آمده است. نمونه های سیلیکونی نوع n و p تحت تابش باریکه الکترون با مقادیر دز تابشی متفاوت 3، 12 و 30 کیلوگری با انرژی mev 10 و حداقل جریان باریکه ma 2/0 قرار گرفته است. آمار جمع آوری شده برای هر نمونه، حداقل یک میلیون و دویست هزار شمارش است که معمولا طی یک شبانه روز ثبت می شود. طیف های ثبت شده، با برنامه رایانه ای pascualبه سه مؤلفه طول عمر برازش، تجزیه و تحلیل شده است. اولین مؤلفه طول عمر، مربوط به نابودی پوزیترون درچشمه و حدود ps 186، دومین مؤلفه طول عمر مربوط به نابودی پوزیترون در حجم نمونه و حدود ps218 و سومین مؤلفه طول عمر، مربوط به نابودی پوزیترون در عیوب است که برای نمونه های مختلف، کوچک و متفاوت می باشد.