ترابرد الکترونی نانوسیم های مولکولی با در نظر گرفتن انرژی پرش الکترون بین همسایه-های دوم

حسن ربانی، h rabani department of physics, faculty of science, shahrekord university, p. o. box 115, shahrekord, iranگروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه شهرکرد، شهرکرد . مرکز پژوهشی فناوری نانو، دانشگاه شهرکرد، شهرکرد محمد مردانی، m mardaani department of physics, faculty of science, shahrekord university, p. o. box 115, shahrekord, iran nanotechnology research center, shahrekord university, 8818634141, shahrekord, iranگروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه شهرکرد، شهرکرد مرضیه طالبی، m talebi department of physics, faculty of science, shahrekord university, p. o. box 115, shahrekord, iranگروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه شهرکرد، شهرکرد

چکیده

در این مقاله به کمک روش تابع گرین و در رهیافت تنگ بست به مطالعه رسانش الکترونی نانو سیم های مولکولی با در نظر گرفتن پرش الکترون بین همسایه های اول و دوم پرداخته ایم. ساختارهای مورد مطالعه شامل یک زنجیره خطی همگن، یک زنجیره خطی متناوب و یک چندپار پلی پارافنیلن هستند که فرض شده است بین دو هادی ساده فلزی محدود شده اند. نتایج نشان می دهند که در تقریب همسایه دوم پدیده-های تشدیدی، ضد تشدیدی و فانو در طیف رسانش این ساختارها رخ می دهند. همچنین در این تقریب یک گاف انرژی جدید در لبه نوار انرژی هادی ها قابل مشاهده است که اندازه آن به مقدار قدرت انرژی پرش الکترون بین همسایه های دوم بستگی دارد. در سامانه های گاف دار نیز این انرژی پرش باعث جابه جایی ناحیه گاف در طیف انرژی می گردد.