تأثیر ساختار بس لایه بر ساختار و فوتولومینسانس لایه های نازک اکسید ژرمانیوم

اسناد مشابه

• تأثیر ساختار بس لایه بر ساختار و فوتولومینسانس لایه‌های نازک اکسید ژرمانیوم

  مقاله۲۰۱۹پژوهش فیزیک ایرانمهدی اردیانیان، اروه رینرت، میشل ورنیا

  بس لایه‌های آمورف (1

• ریزساختار و خواص لایه های نازک اکسید وانادیم(VOx) تهیه شده در دستگاه کند و پاش مغناطیسی واکنشی

  مقاله۲۰۱۴علم و مهندسی سرامیکسارا خمسه، حسام الدین عراقی، مهدی قهاری، اکبر رفیعی

  لایه های نازک اکسید وانادیم(VOx) در سیستم کند و پاش مغناطیسی جریان مستقیم تهیه شدند. به منظور دستیابی به فازهایمختلف از اکسید وانادیم، نمونه ها تحت دماها و اتمسفرهای مختلف آنیل شدند. در ابتدالایه های نازک اکسید وانادیم(VOx)بدست آمده در دو دمای مختلف 450 و 500oC آنیل شدند. هر دو ل

• بررسی خواص ساختاری، اپتیکی و الکتریکی لایه نازک اکسید گرافن احیا شده بروش سنتز سبز

  مقاله۲۰۱۷دنیای نانوسعید صفاری، مهدی عادلی فرد

  لایه نازک گرافن به دلیل خواص فیزیکی، شیمیایی، مکانیکی و حرارتی منحصر به فرد خود دارای کاربردهای گسترده ای در بسیاری از زمینه های علم و فناوری است. سنتز لایه های نازک گرافن با روش ارزان، دوستدار محیط زیست و کیفیت بالا یک چالش بزرگ است. در کار حاضر، ابتدا پودر اکسید گرافن GO به روش

• بررسی خواص ساختاری و اپتیکی لایه های نازک اکسید ایندیم قلع

  مقاله۲۰۱۵پژوهش سیستم های بس ذره ایاحسان پارسیان پور، بهرام سهرابی، جهانگیر جعفری رحمان، فریدون سموات

  در این تحقیق، لایه های نازک اکسید ایندیم قلع (ITO) به روش تبخیر با پرتو الکترونی بر روی زیرلایه های شیشه ای. با ضخامت‌های اسمی 50، 100، 170 و 250 نانومتر، با نرخ انباشت ثابت 10/0 نانومتر بر ثانیه لایه نشانی شده اند. دمای زیرلایه ها در خلال لایه نشانی در دمای 400 درجه سانتیگراد ثا

• بررسی خواص ساختاری و اپتیکی لایه های نازک اکسید ایندیم قلع

  مقاله۲۰۱۵پژوهش سیستم های بس ذره ایاحسان پارسیان پور، مجتبی روستائی، فریدون سموات، جهانگیر جعفری رحمان

  در این تحقیق، لایه های نازک اکسید ایندیم قلع (ito) به روش تبخیر با پرتو الکترونی بر روی زیرلایه های شیشه ای. با ضخامت های اسمی 50، 100، 170 و 250 نانومتر، با نرخ انباشت ثابت 10/0 نانومتر بر ثانیه لایه نشانی شده اند. دمای زیرلایه ها در خلال لایه نشانی در دمای 400 درجه سانتیگراد ثا

• بررسی الکترواپتیکی لایه های نازک اکسید تنگستن و اکسید وانادیوم به منظور طراحی قطعه الکتروکرومیک

  مقالهپژوهش فیزیک ایرانحامد نجفی آشتیانی، h najafi ashtiani department of physics, velayat university, iranshahr, iranگروه فیزیک، دانشگاه ولایت، ایرانشهر محمد سعید هادوی، m hadavi . department of physics, university of sistan & balouchestan, zahedan, iranگروه فیزیک، دانشگاه سیستان و بلوچستان، زاهدان

  در این مطالعه لایه­های نازک الکتروکرومیک اکسید تنگستن و اکسید وانادیوم به روش فیزیکی تبخیر حرارتی در خلأ در ضخامت 200 نانومتر بر روی زیر لایه هادی شفاف sno2:f جایگذاری شده و مورد مطالعه اپتیکی در بازه طول موج 400 تا 700 نانومتر و مطالعه الکتریکی در بازه پتانسیل 5/1- تا 5/1+ ولت ق