مقاله

مدهای فونونی نوری در بلور bawo۴

دانلود متن کاملرایگان، با حساب کاربری؛ ثبت نام با گوگل چند ثانیه است

چکیده

با استفاده از نظریه تابعی چگالی اختلالی، بارهای مؤثر بورن، بسامدهای فونونی مرکز ناحیه بریلوئن و طیف بازتاب مادون قرمز در فرود عمود بر سطوح [100] و [001] برای بلور bawo4 به دست آمده اند. اختلاف زیاد بارهای مؤثر بورن به دست آمده با بارهای یونی اسمی بیانگر پیوندهای شیمیایی با طبیعت یونی-کوالانسی آمیخته است. با استفاده از نظریه گروه و جدول مشخصه گروه نقطه ای c4h، مدهای فونونی برحسب گونه های تقارنی شناسایی شدند. بسامدهای فونونی به دست آمده تطابق خوبی را با مقادیر تجربی گزارش شده نشان می دهند. نتایج به دست آمده، بسامد یک مد فعال رامان از گونه تقارنی gb که به طور تجربی مشاهده نشده است را پیش بینی می کنند.

اسناد مشابه

  • مدهای فونونی نوری در بلور BaWO4

    با استفاده از نظریه تابعی چگالی اختلالی، بارهای مؤثر بورن، بسامدهای فونونی مرکز ناحیه بریلوئن و طیف بازتاب مادون قرمز در فرود عمود بر سطوح [100] و [001] برای بلور BaWO4 به‌دست آمده‌اند. اختلاف زیاد بارهای مؤثر بورن به‌دست آمده با بارهای یونی اسمی بیانگر پیوندهای شیمیایی با طبیعت

  • بررسی ساختار و مدهای فونونی نوری نانوصفحات گرافن آمین‌دار

    مقاله۲۰۲۵دنیای نانوزهرا دهقانی، سعیده جمالیان، فاطمه استواری، علیرضا وجدانی نقره ئیان

    نانوصفحات گرافن آمین‌دار با استفاده از روش سولوترمال و با اتیلن دی‌آمین به‌عنوان معرف سنتز شدند. در این فرآیند، گروه‌های عاملی آمین موجود در اتیلن دی‌آمین می‌توانند به‌عنوان عامل بازکننده حلقه اپوکسید عمل کرده و همچنین با گروه‌های کربوکسیل و هیدروکسیل واکنش داده و از طریق یک واکن

  • ضریب تضعیف جرمی و مدهای فونونی نوری نانوخوشه‌های اکسید گرافن عامل‌دار شده با سیستئین

    مقاله۲۰۲۵نانو مقیاسزهرا دهقانی، مریم آسایی، علیرضا وجدانی نقره ئیان، حکیمه زارع

    در این پژوهش، نانوخوشه‌های اکسید گرافن با عامل پوششی سیستئین با اندازه ذرات در حدود ۱ نانومتر سنتز و بررسی شدند. طیف‌نگاری گاما نشان داد که این نانوخوشه‌ها دارای ضرایب تضعیف جرمی بالایی در محدوده انرژی‌های مختلف پرتوهای گاما هستند که نشان‌دهنده پتانسیل آن‌ها در کاربردهای حفاظتی ا

  • بررسی مدهای فونونی نوری و شاخص شایستگی نانوصفحات اکسید گرافن جهت کاربرد در دستگاه‌های سوئیچینگ نوری

    مقاله۲۰۲۲دنیای نانوزهرا دهقانی، فاطمه استواری، عباس فرجی الموتی

    برای مشخصه یابی ساختار نانوصفحات اکسید گرافن، از آنالیز پراش پرتو ایکس (XRD)، میکروسکوپ الکترونی-عبوری (TEM)، و طیفسنجی رامان و فروسرخ تبدیل فوریه (FTIR) استفاده شده است. نتایج، نشان دهنده وجود لایه های نازک اکسید گرافن است که دارای ساختار کریستالی مناسب با پیک حدود 10 درجه و نسب

  • بررسی مدهای فونونی و چگالی ابرالکترونی تیتانیوم ایندیوم کربید با استفاده از نظریۀ تابعی چگالی (مقاله پژوهشی)

    مقاله۲۰۲۳انجمن مهندسی صوتیات ایرانحمداله صالحی، محمد عین حصاری

    در این مقاله مدهای فونونی و چگالی ابرالکترونی ترکیب تیتانیوم ایندیوم کربید محاسبه شده است. محاسبات در چارچوب نظریۀ تابعی چگالی براساس موج تخت و با روش شبه‌پتانسیل توسط بستۀ نرم‌افزاری کوانتوم اسپرسو انجام گردیده است. تعداد مدهای فونونی به دلیل تقارن بلور از 24 به 16 مد کاهش یافته

  • مدهای فونونی در ترکیب ابررسانای gd۱-xcexba۲cu۳o۷-δ

    مقالهپژوهش فیزیک ایرانشیرین مظفری، sh mozaffari department of physics, sharif university of technology, tehranدانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی شریف، خیابان آزادی، تهران محمد اخوان، m akhavan department of physics, sharif university of technology, tehranدانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی شریف، خیابان آزادی، تهران

    تشکیل فاز و تغییر در فرکانسهای فونونی رامان فعال ترکیب ابررسانای دمای بالای gdbco که با ce آلایش یافته است، توسط طیف پراکندگی اشعه x و طیف نگاری رامان بررسی می شود. افزایش آلایش موجب می شود که فازهای ثانویه ای چون 3 cebao در نمونه تشکیل شوند و دمای گذار ابررسانایی را کاهش دهند. ح