مدل بسته جریان - ولتاژ در ترانزیستورهای نانولوله کربنی آلاییده
چکیده
در این مقاله مدل بستهای برای منحنی مشخصه جریان – ولتاژ ترانزیستورهای اثر میدانی شبه ماسفت با کانال نانولوله کربنی ارائه شده است. به منظور مدل سازی این نوع افزارهها باید معادله یک بعدی جریان درین – سورس که از مدلسازی عمومی بالستیک به کمک فرمول لاندور به دست میآید به همراه معادلهای که وابستگی بین سطح فرمی و تراکم حاملها را ارائه میدهد به صورت خودسازگار[i] حل شوند. همچنین برای محاسبه تراکم حاملها لازم است انتگرال حاصل از ضرب چگالی حالتها و تابع فرمی به صورت عددی محاسبه شود. این محاسبه قدری پیچیده است. در این مقاله با مطالعه رفتار این انتگرال در تمام نواحی و مطالعه تابعیت آن به سطح فرمی نشان دادهایم که مقدار آن را میتوان با معادله درجهی دومی تقریب زد. بدین ترتیب یک مدل بسته جریان – ولتاژ در هر دو ناحیهی زیر آستانه و بالای آن به دست میآید. مقایسه نتایج بدست آمده با اندازهگیریهای حاصل از شبیهسازی عددی نشان میدهد مدل بستهی ارائه شده از دقت خوبی برخوردار است.