تاثیر میدان مغناطیسی بر خواص الکترونیکی نقطه ی کوانتومی سهموی

اسناد مشابه

• کاربرد آنتروپی‌های مختلف در کیوبیت‌های نقطه کوانتومی سهموی در حضور میدان‌های الکتریکی و مغناطیسی

  مقاله۲۰۱۷اپتوالکترونیک نظری و کاربردیحمیدرضا رستگار سدهی، رضا خرداد، افسانه بذرافشان

  در این پژوهش، الکترونی را در نظر گرفته‌ایم که با یک فونون اپتیکی طولی در یک نقطه کوانتومی مثلثی با ناخالصی کولنی جفت شده است. ابتدا، ویژه مقادیر و ویژه توابع حالت پایه و حالت اولیه برانگیخته الکترون با روش وردشی محاسبه شده و سپس آنتروپی این کیوبیت نفطه کوانتومی برای مقادیر مختلفی

• محاسبه عددی ترازهای انرژی و احتمال گذار بین ترازها در نقطه و پاد نقطه کوانتومی در حضور میدان مغناطیسی

  مقاله۲۰۲۲اپتوالکترونیک نظری و کاربردیتورج غفاری، فاطمه رحیمی

  در این تحقیق به بررسی تأثیر میدان مغناطیسی بر ترازهای انرژی در نقطه کوانتومی و پادنقطه کوانتومی می‌پردازیم. محاسبات عددی که با استفاده از روش تفاضل محدود انجام گرفته است، نشان می‌دهند که تأثیر میدان مغناطیسی بر ترازهای انرژی نقطه و پادنقطه کوانتومی کاملاً متفاوت است. همچنین در اد

• تاثیر میدان مغناطیسی بر خواص الکترونیکی نقطه‌‌ی‌کوانتومی سهموی

  مقاله۲۰۱۰مهندسی برق و الکترونیک ایراننسرین‌دخت باطنی‌پور، کامیار ثقفی، محمد کاظم مروج فرشی

  در این مقاله، با استفاده از روش انتگرال مسیر مونت کارلو، انرژی نقطه‌ی کوانتومی سهموی در شرایط مختلف را محاسبه کرده و چگالی الکترون را به‌دست آورده‌ایم. نقش پارامترهایی مانند دما، تعداد الکترون‌های محصور شده در نقطه‌ی کوانتومی و برهم‌کنش الکترون‌ها بر انرژی پایه‌ی نقطه‌ی کوانتومی

• تأثیر میدان مغناطیسی خارجی بر ایجاد تبهگنی ترازهای انرژی در پاد نقطه کوانتومی

  مقاله۲۰۲۱اپتوالکترونیک نظری و کاربردیمجید ابراهیم زاده، مهناز غفاری، لادن غفاری

  در این مقاله تأثیر میدان مغناطیسی بر ترازهای انرژی در پاد نقطه کوانتومی بررسی می‌شود. بدین منظور ابتدا بر اساس نظریه اختلال و در حضور میدان مغناطیسی خارجی، ویژه مقادیر انرژی این نانو ساختار به‌دست آورده می‌شود. سپس بر اساس پیش‌بینی‌های تئوریو همچنین با محاسبات عددی نشان داده خواه

• اثر برهم‌کنش اسپین‌مدار یکنواخت و میدان مغناطیسی یکنواخت بر خواص توپولوژیکی یک نانو سیم یک بعدی کوانتومی

  مقاله۲۰۱۹پژوهش فیزیک ایرانمسعود بهاری، میر وحید حسینی

  در این مطالعه، به صورت نظری اثر متقابل میان برهم‌کنش اسپین مدار یکنواخت و میدان زیمن یکنواخت بر خواص توپولوژیکی یک نانو سیم یک بعدی که به مدل SSH معروف است، بررسی شده است. سامانه در غیاب میدان مغناطیسی یکنواخت و در حضور برهم‌کنش اسپین مدار یکنواخت، با توجه به مقادیر پرش‌ها و شدت

• اثر تهی جای اتمهای P به صورت غیر نقطه ای و غیر فعال کردن ساختار فسفرین با اتم های H روی خواص الکترونیکی و مغناطیسی آن

  مقاله۲۰۲۳اپتوالکترونیک نظری و کاربردیفهیمه بهزادی، سید محمد قاضی

  در این مطالعه، خواص الکترونیکی و مغناطیسی فسفرین تک لایه به کمک نظریه تابعی چگالی اسپینی مورد بررسی قرار گرفت. فسفرین تک لایه یک نیمه رسانای ذاتی نوع p است که خاصیت مغناطیسی ندارد. فسفرین کاربردهای بسیاری در ادوات الکترونیکی مانند ترانزیستورها و یا باطری های یونی دارد. اما فسفرین