لایه نشانی نازک سنسور گازی مبتنی برنیمه هادی اکسید قلع با روش غوطه وری

اسناد مشابه

• لایه نشانی نازک سنسور گازی مبتنی برنیمه هادی اکسید قلع با روش غوطه وری

  مقاله۲۰۱۷مهندسی برق و الکترونیک ایرانمحمدجواد کیانی، علیرضا صالحی

  در این مقاله، طراحی و تولید نانو سنسور SnO2 به روش غوطه وری برای تشخیص CO2 در یک محیط گازی با استفاده از جذب سطحی گزارش شده است. علاوه بر این، به منظور آماده سازی محلول سل-ژل، محلول SnCl2 به عنوان ماده اولیه و با غلظت های مختلف به منظور داشتن لایه های مختلف در ضخامت های متنوع انت

• بررسی اثر استفاده از رادیکال های گازی سیستم گازی آمونیاک و تری کلروسیلان بر رشد و خصوصیات لایه نازک نیترید سیلیکون آمورف لایه نشانی شده به روش لایه نشانی شیمیایی از فاز بخار در فشار پایین

  مقالهمواد پیشرفته در مهندسی (استقلال)آرمین سلماسی، a. salmasi nanotechnology and advanced materials department, materials and energy research center, karaj, iran.پژوهشگاه مواد و انرژی اسکندر کشاورز علمداری، e. keshavarz alamdari department of mining and metallurgical engineering, amirkabir university of technology, tehran, iran.صنعتی امیرکبیر

  بررسی روش ساخت و کیفیت لایه‏های نازک نیترید سیلیکون آمورف رسوب داده شده به روش لایه‏نشانی شیمیایی از فاز بخار در فشار پایین1 از مخلوط رادیکالهای آزاد تشکیل شده از سیستم گازی نیتروژن، آمونیاک و تری کلرو سیلان هدف این مقاله است. تبدیل گازهای اولیه به رادیکالهای آزاد گازی با عبور دا

• بررسی اثر استفاده از رادیکال های گازی سیستم گازی آمونیاک و تری کلروسیلان بر رشد و خصوصیات لایه نازک نیترید سیلیکون آمورف لایه نشانی شده به روش لایه نشانی شیمیایی از فاز بخار در فشار پایین

  مقاله۲۰۲۲مواد پیشرفته در مهندسی (استقلال)آرمین سلماسی، اسکندر کشاورز علمداری

  بررسی روش ساخت و کیفیت لایههای نازک نیترید سیلیکون آمورف رسوب داده شده به روش لایهنشانی شیمیایی از فاز بخار در فشار پایین1 از مخلوط رادیکالهای آزاد تشکیل شده از سیستم گازی نیتروژن، آمونیاک و تری‌کلرو‌سیلان هدف این مقاله است. تبدیل گازهای اولیه به رادیکالهای آزاد گازی با عبور دادن

• تاثیر غلظت آلاینده اکسید قلع بر خواص ساختاری و اپتیکی لایه های نازک اکسید ایندیم تهیه شده به روش تبخیر با باریکه الکترونی

  مقالهعلوم و مهندسی سطح ایران

  در این کار تجربی لایه های نازک اکسید ایندیم آلاییده با اکسید قلع (ito) با ترکیب های مختلفی از 60 تا wt%95 اکسید ایندیم و 40 تا wt%5 اکسید قلع با استفاده از روش تبخیر با باریکه الکترونی بر روی زیرلایه های شیشه ای نهشته شدند. لایه ها پس از نهشت، به مدت 3 ساعت در هوا در دمای cْ450 ت

• بررسی خواص حسگری لایه های اکسید قلع نانوساختار لایه نشانی شده به روش های تبخیر گرمایی و کَند و پاش نسبت به اتانول

  مقالهمواد پیشرفته در مهندسی (استقلال)شهرام سیدین، sh. seyyedin سیدمحسن حسینی گلگو، s. m. hosseini-golgoo محمد حسین قزل ایاغ، m. h. ghezel ayagh فریما آگند

  در این مقاله، نحوه ساخت و ارزیابی حسگرهای گاز مبتنی بر لایه نازک اکسید قلع نانوساختار به دو روش تبخیر گرمایی (نوع i) و کَند و پاش (نوع ii) نسبت به اتانول بررسی شده است. لایه نازک اکسید قلع برروی زیرلایه هایی از ویفر سیلیکن ایجاد و برروی آن ها عملیات حرارتی انجام شد. با استفاده از

• برسی خواص ساختاری، الکتریکی و اپتیکی لایه های نازک اکسید قلع (sno2)تهیه شده به روش لایه نشانی بخار شیمیایی (cvd)

  پایان‌نامه۲۰۱۳وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه علوم پایه دامغان - دانشکده فیزیکمهدی مرعشی

  در این تحقیق لایه های نازک نیمرسانای اکسید قلع به روش بخار شیمیایی بر روی بسترهای شیشه ای تهیه شده است. سپس اثر شار اکسیژن و زمان لایه نشانی بر روی خواص ساختاری، الکتریکی و اپتیکی لایه های نازک مورد مطالعه قرار گرفته است.لایه های تهیه شده توسط پراش پرتو ایکس (xrd)، میکروسکو‍‍‍پ ا