اثر دما بر چگالی جریان در ترانزیستور اثر مدانی نانونوار گرافینیی
چکیده
گرافین، به دلیل تحّرک ِالکترونی بالا و انعطافپذیری، برای ساختِ قطعات الکترونیکی نظیر ترانزیستورهایی با عملکرد ِبالا در چند سال ِاخیر مورد توجه قرار گرفته است. در این مقاله ما اثر دما را بر چگالی جریان یک ترانزیستور اثرمیدانی نانو نوارگرافینی (gnrfet) بررسی میکنیم که در آن کانال متشکل از آرایهای از نانونوارهای گرافینی دسته صندلی میباشددر این جا جریانالکتریکی را با استفاده از پتانسیل الکتروستاتیکی کمینهای که از حل تقریبی ِمعادله پواسون تقریبی با شرایط مرزی مناسب به دست می آید، در مقادیر ِمتفاوت ولتاژهای ِگیت بالا و پایین محاسبه می نماییم. نتایج ما نشان میدهند اثر دما بر منحنی مشخصه جریان-ولتاژ به لحاظ ِکمّی قابل ِملاحظه است به طوری که با بالا رفتن دما، چگالی جریان بشدت افزایش یافته و این افزایش در دماهای بالاتر، بیشتر است. همچنین با افزایش ولتاژ گیت بالا و گیت پایین، شیب منحنی جریان برحسب دما تندتر میباشد. .