خواص اپتیکی بلور فوتونیکی دی الکتریک تک بعدی شبه فلز ـ دی الکتریک ( خانم سمیه داودی۱، خانم مریم قشلاقی۲)
چکیده
در این مقاله به بررسی رفتار بلور فوتونیکی تک بعدی شبه فلز ـ دیالکتریک با ساختار اپتیکی با ترتیب لایهها به صورت glass/(mgf2-ge)n/air پرداخته شده است. شبیهسازی این بلور انجام شد و طیف عبوری آن رسم گردید. طبق محاسبات شبیهسازی شده و رسم نمودار طیف عبوری، این ساختار دارای شکاف باند فوتونیکی پهن بوده است و همچنین طول موج مرکزی آن با اولین توقف باند آن با شرط براگ تطابق خوبی دارد. با افزایش زاویه تابش نور فرودی، پهنای باند قطبیدگی p کاهش یافته است و دو قطبیدگی s و p از یکدیگر جدا میشوند. افزایش تعداد تناوب، پهنای شکاف باند را تغییر نمیدهد ولی میتواند عمق شکاف باند را زیاد کند. همچنین با افزایش فاکتور انباشت (ضریب تعداد لایهها در هر بخش)، شکاف باند فوتونیکی افزایش یافته است و در نتیجه به سمت طول موجهای بلندتر انتقال پیدا میکند.