ساخت و مشخصه¬یابی نانوسیم های اکسید روی ساخته شده به¬روش الکتروانباشت و اکسایش حرارتی و کاربرد آن ها به¬عنوان گسیل¬دهنده میدانی
چکیده
لایه ای از نانوسیمهای اکسید روی بر روی زیرلایة فلز روی از محلولی که حاوی 2 znclو 2o2 hبوده بهروش احیاء کاتدی و از طریق حرارت دادن در اتمسفر در دمای ºc 400 و بهمدت 4 ساعت ایجاد شد. پراش پرتو ایکس مجموعهای از قلههای معین، (مطابق با ساختار ورتزایت اکسید روی) نشان میدهد. تصاویر میکروسکوپهای الکترونی روبشی و عبوری مشخص می کند که نانوسیم های اکسید روی با جهتگیری اتفاقی با طول چندین میکرون و قطر nm 40-30 تشکیل شده اند. مطالعه گسیل میدانی الکترون از طریق ساختار دیودی در فشار mbar 8-10×1 صورت پذیرفت. مقدار میدان روشن شدن برای چگالی گسیل جریان الکترون 2 µa/cm1/0 تعریف گردید که به مقدار v/µm2/1 بهدست آمد. نمودار فولر- نوردهیم (f-n) رفتار غیرخطی را در کل محدوده میدان اعمال شده مطابق با رفتار ذاتی گسیلکنندههای نیمرسانا نشان داده است. ساده بودن روش ساخت، همراه با خاصیت مناسب گسیلکننده نانوسیم های اکسید روی بهطریق الکتروانباشت و اکسایش حرارتی میتواند نمایندهای از یک گسیلکننده خوب برای کاربری در جریانهایی با چگالی بالا داشته باشد.