بررسی ویژگی های ساختاری، الکتریکی و اپتیکی لایه های نازک اکسید ایندیوم آلاییده با ناخالصی قلع (ito)
چکیده
چکیدهای برای این سند ثبت نشده است.
چکیدهای برای این سند ثبت نشده است.
لایه نازک اکسید ایندیوم (in2o3) دو ویژگی تراگسیل نوری و رسانندگی الکتریکی را به طور همزمان دارا می باشد. با اضافه کردن ناخالصی قلع، لایه نازک اکسید ایندیوم آلاییده به قلع (ito) به دست می آید که خواص فیزیکی آن بسته به روش ساخت بهینه می شود. امروزه برای دستیابی به خواص مطلوب، افزای
لایهنازک ceo2-sio2 دارای ویژگی های مناسبی است که باعث شده تا این لایه کاربردهای مختلفی در اپتیک کاربردی مانند استفاده ی آن در وسایل الکتروشیمیایی، پنجره های هوشمند و سلول های سوختی داشته باشد. در این پایان نامه لایه های نازک ceo2-sio2 با استفاده از روش شیمیایی مایسلمعکوس و لایه
اکسید ایندیوم قلع (ito) یک نیمرسانای نوع n با گاف انرژی بزرگ است که عبور بالا در ناحیه های مرئی و مادون قرمز نزدیک از خود نشان می دهد. با توجه به روش انباشت، لایه های نازک ito می توانند دارای شفافیت، رسانندگی و مورفولوژی سطح مختلف باشند. لایه های نازک ito مورد استفاده در این تحقی
در این تحقیق، لایه های نازک اکسید قلع آلاییده با وانادیوم (sno2:v) به روش اسپری پایرولیزیز بر روی زیرلایههای شیشه ای تهیه شده است. تاثیر ناخالصی وانادیوم بر روی خواص ساختاری، الکتریکی، ترموالکتریکی، اپتیکی و فوتورسانایی لایه های نازک sno 2 بررسی شد. نسبت های اتمی وانادیوم به قلع
در این تحقیق لایه های نازک سیستم دوتایی اکسید تنگستن – اکسید وانادیوم بر روی بسترهای شیشه ای به روش شیمیایی اسپری پایرولیزیز تهیه شدند. اثر ناخالصی وانادیوم، دمای بستر و فرایند بازپخت بر روی خواص ساختاری، مورفولوژی سطحی و خواص اپتیکی لایه های نازک اکسید تنگستن بررسی شد. آنالیز xr
در این پژوهش لایه های نازک اکسید وانادیوم روی بستر شیشه با استفاده از روش اسپری پایرولیزیز با انتخاب پارامترهای متفاوت دمای بستر (300، 350، 375، 400، 450، °c 500)، غلظت¬ محلول اولیه (0/05، 0/1، 0/15، mol/lit 0/2) و آهنگ¬ لایه نشانی (3، 5، 7، ml/min 10) رشد یافتند. مطالعه و بررسی
در این پژوهش، خواص اپتیکی لایهنازک اکسید روی آلاییده با آلومینیوم (AZO) و لایهنازک اکسید ایندیوم آلاییده با قلع (ITO) بر زیرلایۀ شیشه و زیرلایۀ پلیمری انعطافپذیر (پلیاتیلن) PET بررسی شد. سپس فیلترهای فوق با یکدیگر مقایسه شدند. هدف این پژوهش، به دست آوردن لایۀ بهینه با مقاومت
در این کار تجربی لایههای نازک اکسید ایندیم آلاییده با اکسید قلع (ITO) با ترکیبهای مختلفی از 60 تا wt%95 اکسید ایندیم و 40 تا wt%5 اکسید قلع با استفاده از روش تبخیر با باریکه الکترونی بر روی زیرلایههای شیشهای نهشته شدند. لایهها پس از نهشت، به مدت 3 ساعت در هوا در دمای Cْ450 ت
در این تحقیق لایههای نازک سیلیکاتی و سیلیکای آلاییده با کربن به روش پلیمریزاسیون پلاسمایی با استفاده از دستگاه کوپل خازنی در فرکانس رادیویی و روی زیرلایههای سیلیسیومی انباشت شدند. برای تولید لایهها از ماده اولیه به صورت مایع آلی-سیلیکاتی TEOS استفاده شد و بخار آن با گازهای اکس
در این تحقیق، لایه های نازک اکسید ایندیم قلع (ITO) به روش تبخیر با پرتو الکترونی بر روی زیرلایه های شیشه ای. با ضخامتهای اسمی 50، 100، 170 و 250 نانومتر، با نرخ انباشت ثابت 10/0 نانومتر بر ثانیه لایه نشانی شده اند. دمای زیرلایه ها در خلال لایه نشانی در دمای 400 درجه سانتیگراد ثا
در این تحقیق، لایه های نازک اکسید ایندیم قلع (ito) به روش تبخیر با پرتو الکترونی بر روی زیرلایه های شیشه ای. با ضخامت های اسمی 50، 100، 170 و 250 نانومتر، با نرخ انباشت ثابت 10/0 نانومتر بر ثانیه لایه نشانی شده اند. دمای زیرلایه ها در خلال لایه نشانی در دمای 400 درجه سانتیگراد ثا
در این تحقیق، لایه های نازک اکسید ایندیوم آلاییده با قلع ( ito ) در ضخامت های مختلف به روش تبخیر با پرتو الکترونی بر روی بستره شیشه ای در دمای اتاق تهیه شده است. ضخامت لایه ها 100 ، 150 و 250 نانومتر می باشد. با استفاده از تحلیل فرکتالی، فرآیند رشد لایه (افزایش ضخامت) بر خصوصیات