تهیه لایه نازک قلع سولفید (sns) به روش حمام شیمیایی و پخت آن برای تبدیل به نانوبلور دی اکسید قلع (sno2) شفاف
چکیده
چکیدهای برای این سند ثبت نشده است.
چکیدهای برای این سند ثبت نشده است.
چکیده: سلنید قلع (snse)نیمرسانایی از نوع iv-vi بیش از یک دهه است که بخاطر خواص بی- نظیرش در دیودهای نورگسیل، دیودهای لیزری، در کلیدزنهای حافظه ای و تولیدات مادون قرمز توجه زیادی را به خود جلب کرده است. برای تهیه فیلم های snse با کیفیت بالا از روش های مختلفی مانند نهشت بخار شیمیای
سلنید قلع (snse) یکی از نیم رساناهای iv-vi است. این نیم رساناها مدت بیش از یک دهه است که بخاطر خواص بی نظیرشان در اپتو الکترونیک مانند دیود های نور گسیل، دیود های لیزری، کلید زنهای حافظه ای و تولیدات مادون قرمز توجه زیادی را به خود جلب کرده اند. برای تهیه فیلم های سلنید قلع با کی
آشکارسازهای زیرقرمز "چشم میدان جنگ دیجیتال" نامیده شده اند. کاربرد های نظامی این دستگاه ها در کشور های غربی موجب پیشگام شدن و غلبه ی نیازمندی ها در این زمینه نسبت بهسایر زمینه ها شده است. علاوه بر کاربردهای بسیار این سیستمها در فعالیت های نظامی از جمله کشف هدف، جست و جو و به دا
از بین روشهای مختلف تهیه لایه های نازک سلنیدقلع، ساد ترین و ارزانترین روش، همان روش حمام شیمیایی است که قادر است در دمای اتاق فیلمهای با کیفیت خوب را برای کاربرد در قطعات الکترونیکی تولید نماید. در این کار تجربی ضریب ثابت هال ،مقاومت ویژه،رسانندگی الکتریکی، تحرک پذیری و چگالی حام
در این پایان نامه یک روش شیمیایی برای لایه نشانی لایه های نازک نانوکریستال cus با استفاده از محلول آبی مس استات تک آبه (منبع مس)، تیواستامید (منبع گوگرد) وتری سدیم سیترات (عامل کمپلکس ساز) در دمای اتاق، پیشنهاد شده است. در این تحقیق، آب به عنوان حلال و تری سدیم سیترات به عنوان عا
دراین مطالعه لایه های نازک نانو ساختار سولفید قلع با استفاده از دو عامل کمپلکس دهنده آمونیوم استات و هگزا متیلنتترامین به روش حمام شیمیایی بر روی زیر لایه شیشه ای و زیر لایه انعطاف پذیر پلی اتیلن تر فتالات( PET )تهیه گردید. اثر عامل کمپلکس دهنده بر مورفولوژی سطح، ساختار، خواص نور
با توجه به اهمیت تهیه لایههای نازک نانوساختار نیمه هادیهای نوری گروه II-VI از طریق روشهای ارزان و ساده شیمیایی، در کار پژوهشی حاضر ضمن استفاده از روش لایه نشانی شیمیایی CBD، در راستای کنترل رشد چنین لایههایی، تاثیر غلظت عامل کمپلکسساز نمک آمونیوم بر خواص ساختاری و نوری لای
در این تحقیق، لایههای نازکی از سولفید روی دوپ شده با نقره (ZnS:Ag) با استفاده از روش کندوپاش مغناطیسی فرکانس رادیویی (RF) بر روی زیرلایههای شیشه لایه نشانی شدند. برای حصول لایه نازک بهینه، فشارهای کاری مختلف در محدود torr 3-10×5/1 تا torr 1-10×1 مورد بررسی قرار گرفتند. لایههای نا
در این پژوهش تلاش گردید تا با بهینه سازی برخی از فاکتورهای آزمایشگاهی، لایههای نازکی از نانوبلورهای نیمرسانای کادمیم روی سولفید آلاییده شده با کبالت با تک قله گسیل مربوط به ترازهای انرژی آلاییدگی، به روش انباشت حمام شیمیایی تهیه گردند. نتایج نشان دادند که قله گسیل شدید در حدود