اثر فرایند نازک سازی لایه سدی آلومینا بر روی خواص مغناطیسی و ساختار بلوری نانوسیم های کوانتومی کبالت
چکیده
چکیدهای برای این سند ثبت نشده است.
چکیدهای برای این سند ثبت نشده است.
نانوسیمها ساختاری یک بعدی هستند که به علت نسبت سطح به حجم بالا در سالهای اخیر مورد توجه قرار گرفته اند. در این میان، نانوسیم های مغناطیسی با توجه به کاربردهای مختلفی که در صنایع الکترونیک، حافظههای مغناطیسی، بیوتکنولوژی، پزشکی و داروسازی دارند، از اهمیت ویژهای برخوردار هست
دو نانوساختار متفاوت، نانوسیم های مغناطیسی و فیلم های خیلی نازک ابررسانا در این پایان نامه بررسی شده است . نانوسیم های مغناطیسی در بخش اول پایان نامه آلومینای حفره دار آندی با ساختار منظم تحت شرایط آندایز مناسب تهیه شده است. نانوسیم های کبالت با استفاده از آلومینای حفره دار آندی
در میان نانوسیمهای مغناطیسی که تاکنون ساخته شده، نانوسیمهای کبالت به علت ناهمسانگردی مغناطو بلوری تک محور زیاد به هنگام رشد در ساختار hcp که عامل اصلی تغییر در میکروساختار این نانوسیمها می باشد، مورد توجه بسیاری از محققین واقع شده است. با توجه به اینکه رفتار لایهی سدی نقش کلی
در این تحقیق ،لایه های نازک آلومینیوم اکسی نیترید بر روی زیر لایه هایی از جنس bk7 به روش کندوپاش مغناطیسی جریان متناوب انباشته شده اند. هدف از این مطالعات بررسی اثر نسبت گاز نیتروژن ، به عنوان گاز واکنشی و تاثیر دمای زیرآیند بر خواص اپتیکی، سختی، مرفولوژی سطح, آستانه تخریب لایه و
بررسی سامانه های مغناطیسی کم بعد مانند سطوح، لایه های نازک و چندلایه ای ها، یکی از مباحث بسیار پویا در فیزیک نوین است. این موضوع با وجود ساختارهای مغناطیسی نو و پدیده های جالبی که در آنها دیده شده ولی در نمونه های کپه ای آنها وجود ندارد، بیشتر مورد توجه قرار گرفته است. در این میا
در این تحقیق لایه نازک نانو ساختار اکسید روی دارای آلایش آلومینیوم و تیتانیم (atzo) به روش سل ژل تهیه گردید. آنالیز فازی توسط تکنیک پراش پرتو ایکس (xrd)، مشاهدات ریز ساختاری و آنالیز عنصری توسط میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانی (fe-sem) و ابزار طیف سنج تفکیک انرژی (edx) انجام
در این تحقیق لایه نازک نانو ساختار اکسید روی دارای آلایش آلومینیوم و تیتانیم (ATZO) به روش سلژل تهیه گردید. آنالیز فازی توسط تکنیک پراش پرتو ایکس (XRD)، مشاهدات ریز ساختاری و آنالیز عنصری توسط میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانی (FE-SEM) و ابزار طیف سنج تفکیک انرژی (EDX) انجام
ابتدا لایه های نازک اکسید کادمیوم روی cdzno به ضخامت متوسط 155 نانومتر بر روی زیر لایه های شیشه ای با روش سل-ژل چرخشی رشد داده شدند. سپس لایه های آماده شده در دماهای 500 و 450 درجه سانتیگراد بازپخت شدند. خواص اپتیکی و ساختاری این نمونه ها با استفاده از نتایج حاصل از اندازه گیری ه
اکسید روی (ZnO) به عنوان ماده نیمه رسانا با شکاف نواری مستقیم و پهن، اهمیت زیادی در ساخت قطعات الکترونیکی مانند ترانزیستورهای اثر میدانی و قطعات اپتو الکترونیکی نظیر دیود های نور گسیل و همچنین آشکار سازی نوری دارد. در این پژوهش با استفاده از لایه نشانی به روش سل – ژل، پوشش های
ساختار های مار پیچی شکل سولفید روی با تعداد پیچ های مختلف با استفاده از لایه نشانی خراشی روی زیر لایه شیشه ای تشکیل شدند. خواص ساختاری این لایه های های نازک مجسمه سازی شده با استفاده از طیف پراش اشعه ایکی مطالعه شد. سطح مقطع ساختار های مارپیچی با استفاده از تصاویر میکروسکوپی الکت
پوششهای کربن شبه الماس به دلیل دارا بودن خواص برجسته مکانیکی و تریبولوژیکی، کاربرد فراوانی جهت بهبود خواص سطحی آلیاژها دارند. در این پژوهش، پوشش کربن شبه الماس با دو منبع گازی متان (CH4) و استیلن (C2H2) با زمان رسوبدهی متفاوت برروی آلیاژ فولادی 4140 توسط فرایند لایهنشانی پرتو