شبیه سازی و طراحی مدولاتورهای الکترو جذبی در ساختارهای نانو نیمه هادی
چکیده
چکیدهای برای این سند ثبت نشده است.
چکیدهای برای این سند ثبت نشده است.
امروزه ساختارهای باند ممنوعه الکترومغناطیسی (ebg) به دلیل ویژگی های منحصر به فرد الکترومغناطیسی که دارا هستند، توجه زیادی را به خود جلب کرده اند. مهمترین ویژگی این ساختارها وجود یک باند ممنوعه فرکانسی برای امواج الکترومغناطیسی در آن ها است، به طوری که در این ناحیه فرکانسی، این سا
در این پایان نامه هدف ما دستیابی به نانو کامپوزیت پلیمری جهت تحقق ضریب گذردهی الکتریکی وضریب نفوذپذیری مغناطیسی منفی در باند مرئی می باشد.
در این پایان نامه با توجه به قابلیت های پردازش تمام نوری به طراحی و شبیه سازی گیت یونیورسال nor می پردازیم. برای این کار از دو تکنولوژی متفاوت تقویت کننده های نوری نیمه هادی مبتنی بر نانوکریستال و همچنین شفافیت االقایی دو قطبی بهره برده ایم ولی تاکید پایان نامه روی تکنولوژی نیمه
در سال های اخیر لیزرها جای خود را در بسیاری از کاربردهای پزشکی و مهندسی باز کرده اند. در این بین لیزرهای نیمه هادی به دلیل ویژگی های خاص خود از اهمیت ویژه ای برخوردارند. پایان نامه ابتدا به تئوری لیزر می پردازد و سپس دو نوع لیزر نیمه هادی را مورد بررسی قرار می دهیم، که عبارتند از
آشکارساز نوری که در این پایان نامه از بررسی می شود از نوع رسانای نوری است.اساس کار بر این است که یک نیمه هادی بدون ناخالصی داریم این نیمه هادی را به دو کنتاکت فلزی وصل کرده و منبع ولتاژی به دو سر اتصال فلزی اعمال می کنیم فوتون های نور به این ساختار تابانده می شوند و با جذب فوتون
پژوهش حاضر چرخه سردسازی نوینی را که بر پایه ی چرخه جذبی عمل می نماید و انرژی خورشیدی را برای تأمین انرژی مورد نیاز در ژنراتور بکار میگیرد، مورد بررسی قرار میدهد. برای جمعآوری انرژی خورشیدی از کلکتور سهموی استفاده می شود که در آن برای افزایش انتقال حرارت به سیال عامل از نانوسیا
: امروزه از یک سو، تجهیزات الکتریکی در هر کشتی برای ارتباطات، سیستمهای موقعیتیابی، راندن موتورها مورد نیازند و از سوی دیگر، امکان کنترل موتورهای الکتریکی با سرعت متغیر در یک محدوده کوچک با توان بالا، قابلیت اطمینان و قیمت تمام شده، راه حل های رقابتی، استفاده از رانش الکتریکی را
در این مقاله، به منظور بهبود عملکرد آنتن های ماهواره، استفاده از سطوح با امپدانس بالا پیشنهاد می شود. سطوح با امپدانس بالا اغلب با نام هادی های مغناطیسی مصنوعی شناخته می شوند. هادی مغناطیسی طراحی شده، شامل آرایه ای از سطوح انتخابگر فرکانسی jc-fss است که با چهار پایه رسانا به صفحه
مدار تمام جمع کننده، به دلیل توانایی در پیاده سازی چهار عمل اصلی محاسباتی (جمع، تفریق، ضرب و تقسیم) به عنوان یکی از مهمترین و پرکاربردترین بخش های اصلی پردازنده های دیجیتالی در طرّاحی مدارهای مجتمع، شناخته می شود. بدین منظور، در این مقاله تلاش شده است که سلول تمام جمع کننده ی جدی
در این مقاله، جزئیات طراحی و مدلسازی یک مبدل آنالوگ به دیجیتال سازگار با دمای اتاق با استفاده از نانوترانزیستورهای تکالکترونی با جزیره کوانتوم نقطهای سیلیکونی ارائه شده است. در مقایسه با نانو ترانزیستورهای تک الکترونی با جزیره فلزی، استفاده از جزایر سیلیکونی در حد چند نانومتر سبب
با کمک روش تابعی چگالی همراه با روش نامتعادل تابع گرین، ترابرد در نانوساختارهای تک لایهTiS3مورد بررسی قرار گرفت. بدین منظور، 13 یاخته ساختار به عنوان کانال در اتصال با الکترودهای طلا، به عنوان اتصالات الکتریکی مورد بررسی قرار گرفت. به منظور شبیهسازی صحیح اربیتال های d در این ساخت