مقاومت الکتریکی ناشی از دیواره های مغناطیسی در حضور میدان مغناطیسی خارجی و برهمکنش اسپین- مدار راشبا
چکیده
چکیده‌ای برای این سند ثبت نشده است.
پایان‌نامه‌های مشابه
مقاومت الکتریکی ناشی از دیواره های مغناطیسی در حضور میدان مغناطیسی خارجی و برهمکنش اسپین-مدار راشبا
بررسی اثر هدایت گرمایی بر ساختار دینامیکی قرص های بر افزایشی با پهن رفت غالب در حضور وشکسانی، مقاومت الکتریکی، و میدان مغناطیسی دوقطبی ستاره ی مرکزی
بررسی خواص الکترونی و مغناطیسی نانو حلقه گرافینی در حضور میدان مغناطیسی خارجی
در این تحقیق خواص الکترونی و مغناطیسی نانو ساختارهای گرافینی مورد بررسی قرار گرفته است. ویژگی¬های منحصر به فرد گرافین باعث شده است برای کاربرد¬های الکترونی در مقیاس نانو بسیار مورد توجه باشد. با این وجود، مشکل اصلی کاربرد گرافین در ادوات الکترونیکی، نبود گاف در طیف انرژی آن است.
بررسی تجربی تأثیر میدان های خارجی(الکتریکی و مغناطیسی) بر ویسکوزیته نانوسیال مغناطیسی fe3o4/eg
با توجه به محدود بودن مطالعات انجام گرفته روی ویسکوزیته و خواص رئولوژیکی نانوسیالات مغناطیسی، در این تحقیق تغییرات ویسکوزیته نانوسیال مغناطیسی fe3o4 در اتیلن گلیکول در حضور میدان های خارجی(الکتریکی و مغناطیسی)، به صورت آزمایشگاهی مورد بررسی قرار گرفت. برای اندازه گیری ویسکوزیته ا
بررسی ویژگی های ترابرد الکتریکی نانونوار گرافینی تک لایه در حضور میدان مغناطیسی قوی خارجی
ویژگی های ترموالکتریکی گرافین در سال 2007 به طور غیر مستقیم با روش طیف سنجی رامان، و از سال 2008 به طور مستقیم با استفاده از ضرایب سی بک و نرست مورد بررسی تجربی قرار گرفته است. هم زمان بررسی های نظری نیز در این باره مورد توجه قرارگرفته اند. پژوهش ها برقراری رابطه ی نیمه کلاسیکی(ر
تحلیل ارتعاشات آزاد وانتشار موج نانولوله های کربنی و نیترید بور حاوی جریان نانو سیالات مغناطیسی در حضور میدان های مغناطیسی و الکتریکی
در این پروژه ارتعاشات جانبی و انتشار موج عرضی میکرولوله ها و نانولوله های دوجداره حاوی سیال بررسی شده است. جنس میکرولوله ونانولوله، کربن با درنظرگرفتن خاصیت مغناطیسی شان و نیترید- بور در عین عایق بودن دارای خاصیت پیزوالاستیک می باشد.همچنین سیال استفاده شده در این پروژه سیال مغناط
اسناد مشابه
قطبش اسپینی و رسانش وابسته به اسپین در نانو نوار تک لایه زیگزاگ فسفرین در حضور میدان الکتریکی خارجی
با استفاده از روش تابع گرین غیر تعادلی ترکیب شده با تکنیک لوپز سانچو، به تحلیل و بررسی ترابرد الکترونی وابسته به اسپین در نانونوار زیگزاگ فسفرینZPNR تک لایه در رژیم بالستیک پرداخته شده است. مطالعات نشان میدهد که رسانش اسپینی میتواند توسط یک میدان الکتریکی خارجی قابل کنترل که از ط
افزایش خواص مغناطیسی نانوکامپوزیت PEO/Fe3O4 سنتز شده به روش هم رسوبی در حضور میدان مغناطیسی خارجی
نانوکامپوزیت‌های پلی اتیلن اکسید مغناطیسیPEO/Fe3O4 به روش هم‌رسوبی در حضور یک میدان مغناطیسی خارجی 0.4 تسلا سنتز شد و اثر میدان مغناطیسی خارجی در سنتز نمونه مورد بررسی قرار گرفت. نانوکامپوزیت های سنتز شده در حضور میدان به کمک آنالیزهای VSM، XRD وSEM مشخصه یابی شده است. نتایج آنال
لایه نشانی نانو سیم های مغناطیسی با روش لانگمور-بلاجت و در حضور میدان مغناطیسی خارجی
چینش و هم‌آرایی کنترل‌شده نانوسیم‌ها در توسعه و گسترش کاربرد آنها در اپتوالکترونیک، نانوالکترونیک، حسگرها و ادوات اسپینترونیک نقش بسیار مهمی دارد. چینش نانوساختارهای یک‌بعدی با استفاده از روش‌های مختلفی مانند دستکاری‌نوری، میکروسیالات، میدان‌های الکتریکی و مغناطیسی انجام‌شده‌است.
بررسی برهمکنش پالس لیزری پر شدت با پلاسمای حاصل از سوخت همجوشی هسته ای در حضور میدان مغناطیسی مایل خارجی
در سال های اخیر برهمکنش پالس های لیزری فوق کوتاه با هدف جامد به دلیل کاربردهایی که در طرح همجوشی محصورشدگی لختی دارد، بسیار مورد توجه قرار گرفته است. در همجوشی محصورسازی لختی به روش لیزری به منظور مشتعل کردن سوخت ، باید ناحیه مرکزی تحت عنوان لکه داغ تا حد ممکن برای بیشینه کردن اث
بررسی برهمکنش پالس لیزری پر شدت با پلاسمای حاصل از سوخت همجوشی هسته ای در حضور میدان مغناطیسی مایل خارجی
در سال های اخیر برهمکنش پالس های لیزری فوق کوتاه با هدف جامد به دلیل کاربردهایی که در طرح همجوشی محصورشدگی لختی دارد، بسیار مورد توجه قرار گرفته است. در همجوشی محصورسازی لختی به روش لیزری به منظور مشتعل کردن سوخت ، باید ناحیه مرکزی تحت عنوان لکه داغ تا حد ممکن برای بیشینه کردن اث