ساخت حسگر میدان مغناطیسی بر مبنای امپدانس مغناطیسی بزرگ با استفاده از نوارهای نانوساختار آلیاژی پایه آهن
چکیده
چکیده‌ای برای این سند ثبت نشده است.
پایان‌نامه‌های مشابه
طراحی و ساخت حسگر میدان مغناطیسی بر مبنای اثر مغناطوامپدانس غول آسا با استفاده از میکروسیم آلیاژی پایه کبالت co68.15fe4.35si12.5b15
اخیراً توسعه حسگرهای مغناطیسی پرکاربرد از زمان کشف اثر معروف به مغناطوامپدانس غول آسا در مواد فرومغناطیس نانوبلوری و بی شکل، اهمیت زیادی پیدا کرده است. تغییرات زیاد امپدانس متناوب (ac) مواد مغناطیسی نرم، هنگامی که این مواد تحت تاثیر میدان مغناطیسی مستقیم (dc)باشند را اثر مغناطوام
بهینه سازی امپدانس مغناطیسی نوارهای مغناطیسی جهت استفاده در ساخت حسگر امپدانس با المان حسگری نانوساختار
حسگرهای مغناطیسی بر مبنای اثر امپدانس مغناطیسی mi امروزه قابلیت خود را در عرصه های گوناگون فناوری نشان داده است. مناسب ترین مواد برای کار در اثر امپدانس مغناطیسی و حسگرهای امپدانس مغناطیسی، مواد مغناطیسی نرم همانند آلیاژهای آمورف و مواد مغناطیسی نانوبلورین هستند. بهینه سازی ویژگی
اسناد مشابه
طراحی و ساخت حسگر میدان مغناطیسی بر پایه فیبرنوری نازک شده با استفاده از نانو فروسیال
در این تحقیق حسگر میدان مغناطیسی بصورت مقرون به صرفه و با حساسیت بالا بر پایه فیبرنوری نازک شده با استفاده از سیال مغناطیسی طراحی شده است. نانوفروسیال توسط آنالیزهای پراش اشعه‌ی ایکس و میکروسکوپ الکترونی روبشی مشخصه‌یابی شد. حسگرمیدان مغناطیسی با قرار دادن فروسیال حول فیبرهای نو
بررسی خواص مغناطیسی و امپدانس مغناطیسی بزرگ در حسگر زیستی-مغناطیسی پایه کبالت آمورف
در تحقیق حاضر یک حسگر زیستی-مغناطیسی چند لایه (SiO2/CoFeSiB/Al2O3/Cr/Au) مبتنی بر اثر امپدانس مغناطیسی با استفاده از سیستم میکروالکترومکانیکی طراحی وساخته شده است. بدین منظور ابتدا شمش آلیاژ پایه کبالت با ترکیبCo15Fe4.3Si12.5B15 در کوره القایی تحت خلاء تهیه و سپس با استفاده از دس