بررسی اثر اسپین - گان در نیمه رساناهای فرومغناطیس
چکیده
چکیدهای برای این سند ثبت نشده است.
چکیدهای برای این سند ثبت نشده است.












شکلها از متن کامل مقاله برداشته شدهاند و حقوقشان از آنِ نویسندگان و ناشر است.
در این اثر انتقال اسپین را در اتصالات گرافینی گرافین نورمال / گرافین فرومغناطیس / گرافین نورمال که یک الکترود به گرافین فرومغناطیس ضمیمه شده است مطالعه و بررسی می کنیم. سپس در می یابیم که یک میدان تبادلی از گرافین فرومغناطیس ناشی می شود و جریان اسپین در میان اتصال یک رفتار نوسانی
تقریب پتانسیل همدوس برای مطالعه اثر حاملهای بار روی دمای کوری، tc، نیمه رساناهایی مانند euo و eus استفاده شده است . ما از تئوری میدان میانگین تعمیم یافته برای افت و خیز -fاسپینها. از مدل ونسووسکی برای بررسی کنش الکترونهای رسانش با اسپینهای جایگزیده استفاده می کنیم. تغییر در tc در
در این پایان نامه چرخش مغناطو-اپتیکی غیرخطی (nmor) در نیمه رساناهای چاه کوانتومی مورد بررسی قرار می گیرد. برای همین منظور دو سیستم v-شکل جفت شده را از نیمه رسانای چاه کوانتومی gaas درنظرمی گیریم. در ابتدا با اعمال سه میدان لیزری به سیستم اتمی چاه کوانتومی به مطالعه nmor می پردازی
در این رساله به ترسیب و شناسایی سولفید سرب و کادمیم، به صورت فیلم تکی و مولتی بر روی زیر لایه های فلزی، شیشه هادی سنتزی و ito به روشهای الکتروشیمیایی ولتامتری چرخه ای و upd پرداخته شد. سپس خواص فوتوالکتروشیمیایی آنها و همچنین پارامترهای فیزیکی و الکتروشیمیایی مربوط به نیمه رساناه
در این رساله پس از مقدمه ای مربوط به مواد مغنا طیسی به بررسی مدل آیزینگ توسط روش مونت کارلو پرداخته شده است. روابطی مانند پذیرفتاری مغناطیسی و ظرفیت گرمایی مورد بررسی قرار می گیرد و نمودار مغناطش بر حسب دما و میدان و همچنین حلقه پسماند را محاسبه میکنیم. در ادامه به خاصیت سوپر پار
در این مقاله، رسانش وابسته به اسپین یک سیم کوانتومی فرومغناطیس را در حضور یک یا دو نقص با استفاده از روش تابع گرین در رهیافت بستگی قوی محاسبه نموده و تأثیر چرخش گشتاور مغناطیسی نقص (ها) را بر روی رسانش سامانه بررسی می کنیم. نتایج نشان می دهد که در سیم مغناطیسی، مستقل از وجود یا ع
در این مقاله، رسانش وابسته به اسپین یک سیم کوانتومی فرومغناطیس را در حضور یک یا دو نقص با استفاده از روش تابع گرین در رهیافت بستگی قوی محاسبه نموده و تأثیر چرخش گشتاور مغناطیسی نقص (ها) را بر روی رسانش سامانه بررسی می کنیم. نتایج نشان می دهد که در سیم مغناطیسی، مستقل از وجود یا ع
در این مقاله با استفاده از شبیه سازی کوانتومی مبتنی بر نظریه تابعی چگالی، گاف انرژی 300 ترکیب نیتریدی مورد بحث و بررسی قرار گرفت. گاف انرژی ترکیبات با استفاده از دو تقریب GGA-PBE و HSE06 محاسبه شده است. پارامترهای مورد بررسی در مطالعات یادگیری ماشین به دو دسته پارامترهای اتمی و ک
این مقاله، لاگرانژین و معادلاتی که هامیلتونین غیرهایزنبرگی غیرهمسانگرد را توصیف میکند، مطالعه شده است. در این تحقیق از حالتهای همدوس در پارامتر حقیقی و انتگرال مسیر فاینمن در گروه(2)SUاستفاده شده است. این معادلات دینامیک غیرخطی زنجیر فرومغناطیس غیرهایزنبرگی را به طور کامل توصیف
در این مقاله، سیستم با اسپین s=3/2 که در آن تبادل با نزدیک ترین همسایه مد نظر است، در تقریب میدان میانگین بررسی شده است. با استفاده از حالت های همدوس در گروه su(4) ، معادلاتی که مدل غیرهایزنبرگی همسانگرد را توصیف می کنند را به دست آورده و سپس برای برانگیختگی های خطی کوچک، معادلات
در این مقاله، سیستم با اسپین S=3/2 که در آن تبادل با نزدیک ترین همسایه مد نظر است، در تقریب میدان میانگین بررسی شده است. با استفاده از حالتهای همدوس در گروه SU(4) ، معادلاتی که مدل غیرهایزنبرگی همسانگرد را توصیف میکنند را بهدست آورده و سپس برای برانگیختگیهای خطی کوچک، معادلات