بهبود خصوصیات تشعشعی آنتن زاگی صفحه ای با استفاده از رفلکتور امپدانس بالا
چکیده
چکیده‌ای برای این سند ثبت نشده است.
پایان‌نامه‌های مشابه
استفاده از سطوح انتخابگر فرکانس برای بهبود خصوصیات تشعشعی آنتن میکرواستریپ
در این پایان نامه به بررسی، تحلیل و طراحی ساختار انتخابگر فرکانس به منظور بهبود عملکرد تششعی آنتن پچ میکرواستریپ می¬پردازیم. این عمل منجر به تولید آنتن فبری پروت می¬شود. آنتن¬های فبری پروت با فناوری¬های سطوح انتخاب گر فرکانس، سطوح باند ممنوعه الکترومغناطیسی و ساختار¬های فرا ماده
افزایش پهنای باند و بهبود الگوی تشعشعی آنتن های میکرواستریپ با استفاده از ساختار بلورهای فوتونی
در دهه گذشته، یک فناوری جدید بوجود آمد که توانست مشکل آنتن های میکرواستریپ در پهنای باند وسیع را برطرف سازد. در این تکنولوژی می توان با ترکیب بندیِ شکل جدیدی از زیرلایه ی آنتن های پَچ، یک باند ممنوع? فرکانسی از امواج الکترمغناطیسی را بوجود آورد. این کار باعث بهبود در بازدهی و پهن
استفاده از ساختارهای باند ممنوعه الکترومغناطیسی جهت بهبود پارامترهای تشعشعی آنتن
در این پایان نامه ساختارهای باند ممنوعه الکترومغناطیسی معرفی و مشخصات اصلی آنها شامل باند ممنوعه الکترومغناطیسی برای امواج سطحی و فاز انعکاس متغیر با فرکانس برای امواج مسطح بررسی شده است. همچنین انواع مختلفی از این ساختارهای مصنوعی و کاربرد آنها در بهبود عملکرد آنتن ها مورد مطالع
طراحی و شبیه سازی آنتن با استفاده از ساختارهای ebg و سطوح امپدانس بالا
امروزه ساختارهای باند ممنوعه الکترومغناطیسی (ebg) به دلیل ویژگی های منحصر به فرد الکترومغناطیسی که دارا هستند، توجه زیادی را به خود جلب کرده اند. مهمترین ویژگی این ساختارها وجود یک باند ممنوعه فرکانسی برای امواج الکترومغناطیسی در آن ها است، به طوری که در این ناحیه فرکانسی، این سا
طراحی و تحلیل غیر خطی و ساخت آنتن مایکرواستریپ فعال، بهبود یافته با استفاده از فتونیک کریستال صفحه ای
آنتن های فعال یکپارچه آنتن هایی هستند که در آنها اجزای فعال به صورت مستقیم با ساختار آنتن مجتمع شده اند و خاصیت مورد نظر را به دست می دهند. در چنین ساختارهایی آنتن مایکرواستریپ همزمان به عنوان بار (در ورودی و یا خروجی، بسته به نوع عملکرد مدار) و همچنین تشعشع کننده رفتار می کند. ی
اسناد مشابه
طراحی آنتن شکافی باند وسیع با الگوی تشعشعی یک‌طرفه با استفاده از سطوح امپدانس بالا و لایه فریت
در این مقاله یک آنتن شکافی چندلایه جدید با الگوی تشعشعی یک‌طرفه که با خط مایکرواستریپ تغذیه می‌شود و از یک بازوی دوشاخه برای تنظیم فرکانسی بهره می‌برد، ارائه شده است. آنتن شکافی پهن در یک ساختار چندلایه شامل سطح امپدانس بالا (HIS) ، لایه‌های دی‌الکتریک ضخیم، لایه فریت و صفحه زمین