مطالعه میزان تولید فوتوالکترون از یک لایه نازک فوتوکاتد pmt

ساخت لایه نازک cds/cu2s به روش شیمیایی به منظور تولید سلول خورشیدی

در این تحقیق تشکیل اتصال مثبت – منفی cds/cu2s مورد بررسی قرار گرفت. این اتصال یکی از پر کاربرد ترین اجزاء در تولید سلول خورشیدی است. هر دوی این لایه ها به صورت لایه نازک تولید شدند. به منظور کاهش هزینه تولید٬ از روش شیمیایی جهت تشکیل لایه ها استفاده شد. مرحله اول تشکیل لایه نازک

تولید غشای مرکب لایه نازک پلی آمید و بررسی شرایط تهیه غشا بر میزان شار و نمکزدایی

هدف از انجام این پژوهش ساخت غشای مرکب لایه نازک پلی آمید و بررسی نقش عوامل موثر هنگام ساخت این غشا بر میزان شار و نمکزدایی آن می باشد. این غشا از سه لایه شامل منسوج بی بافت پلی استر، غشای متخلخل پلی سولفون و غشای متراکم و نازک پلی آمید تشکیل می شود. به هنگام ساخت غشای پلی سولفون

تولید و بررسی ساختار فیزیکی و خواص مکانیکی لایه نازک نانوکامپوزیت (tio2-cnt ) به روش لایه نشانی چرخشی

این تحقیق بمنظور تولید لایه های نازک از ذرات دی اکسید تیتانیم در اندازه نانو و بررسی نمونه های tio2 همراه با مخلوط نانوتیوبهای کربنی چند دیواره و مقایسه با لایه های بدون نانوتیوب و همچنین بررسی عوامل موثر بر ساختار کریستالی، مورفولوژی و دیگر خواص این نمونه ها انجام شد. جهت سنتز ت

تولید و بررسی ساختار فیزیکی و خواص مکانیکی لایه نازک نانوکامپوزیت (zro2-cnts ) به روش لایه نشانی چرخشی

در این پایان نامه نانوذرات زیرکونیا (zro2 ) بدون نانوتیوبهای کربنی (cnts) و با نانوتیوبهای کربنی به روش سل- ژل تولید شده و سپس با تکنیک لایه نشانی چرخشی بر روی زیرآیند استیل 314 لایه نازک آن تهیه شد. در این روش، پیش ماده استیل استونات زیرکونیوم (c20h28o8zr) بوسیل? اسید هیدروکلریک

بررسی حالت های سطحی تولید شده در یک کریستال فوتونی یک بعدی متشکل از لایه های راستگرد و چپگرد در حضور یک لایه نازک غیر خطی

مطالعه نظری میزان برهم کنش کاتیون های مختلف با غشای نانو حفره پلیمری لایه نازک پلی امیدی.

چکیده : در این کار هدف مطالعه نظری میزان بر هم کنش کاتیون های مختلف (na+,k+,mg2+,ca2+) با غشای پلی پی پیرازین آمید (pa)با استفاده ازروش تابع چگالی (dft)در فاز گازی می باشد، ساختار و انرژی بر هم کنش کمپلکس کاتیون های فلزی با پلی آمید مورد مطالعه قرار گرفته اند .بهینه سازی کمپلکس ه

بررسی یکنواختی لایه نازک SiO2 ، تولید شده با روش تبخیر باریکه الکترون و تبخیر گرمایی

در این مقاله لایه نازک دی‌اکسید‌سیلیسیم، SiO2، با دو روش تولید شده است: در روش اول، SiO2 مستقیماً توسط تفنگ الکترونی تبخیر می‌شود و هم‌زمان برای جبران کمبود اکسیژن، گاز اکسیژن به محیط تزریق می‌شود. در روش دوم، منواکسید‌سیلسیم، SiO، توسط تبخیر گرمایی بخار می‌شود و در حین تبخیر آن،

بررسی ویژگی‌های ساختاری و مغناطیسی لایه نازک Fe[Fe/Cr]n تولید شده به روش کندوپاش DC/RF

ساختار چندتایی از لایه نازک‌فرومغناطیسی و غیر مغناطیسی به دلیل دارا بودن اثر مغناطومقاومت بسیار بزرگ در میدان‌های مغناطیسی کوچک، بسیار اهمیت دارند. لایه‌های متناوب فرومغناطیس و غیر فرومغناطیس در این تحقیق لایه نازک چندتایی آهن/ کروم به‌صورتFe[Fe/Cr]n با n=15,30,45 به روش کندوپاش

ارزیابی ویژگی های فیزیکی نانولیپوزوم های حامل ویتامین ۳ d تولید شده به روش هیدراسیون لایه نازک- سونیکاسیون

سابقه و هدف: درون پوشانی ترکیبات غذا- دارو توسط حامل های لیپیدی مانند لیپوزوم ها، یک روش مؤثر برای حفاظت ویژگی های ذاتی آنها در طی دوره نگهداری است. لیپوزوم ها به دلیل داشتن مزایای متعدد از جمله امکان تولید در مقیاس صنعتی با استفاده از مواد طبیعی، امکان درون پوشانی مواد محلول در

تعیین حداقل میزان قابل جستجوی آنتی بیوتیکها با به کارگیری دو روش استفاده از سواب و دیسک و روش کروماتوگرافی لایه نازک همراه با بیوتوگرافی

در این مطالعه با به کارگیری روش کروماتوگرافی لایه نازک همراه با بیواتوگرافی (TLCB) همراه با ارزیابی منحنیهای استاندارد مربوطه،19 گروه آنتی بیوتیکی مختلف مورد جداسازی و تشخیص قرار گرفتند. حساسیت روشها و مقدار دارو از طریق اندازه گیری حداقل میزان قابل جستجو(MDCS) (میلی لیتر/میکروگر

تعیین حداقل میزان قابل جستجوی آنتی بیوتیکها با به کارگیری دو روش استفاده از سواب و دیسک و روش کروماتوگرافی لایه نازک همراه با بیوتوگرافی

در این مطالعه با به کارگیری روش کروماتوگرافی لایه نازک همراه با بیواتوگرافی (tlcb) همراه با ارزیابی منحنیهای استاندارد مربوطه،19 گروه آنتی بیوتیکی مختلف مورد جداسازی و تشخیص قرار گرفتند. حساسیت روشها و مقدار دارو از طریق اندازه گیری حداقل میزان قابل جستجو(mdcs) (میلی لیتر/میکروگر

بررسی خواص اپتیکی لایه نازک SiON تولید شده به روش رسوب‌گذاری شیمیایی بخار پلاسمایی

خواص اپتیکی لایه‌های نازک اکسی نیترید سیلیکون (SiON) مورد بررسی قرار گرفته است. لایه‌های SiON به روش رسوب‌گذاری شیمیایی بخار پلاسمایی روی زیرلایه‌های شیشه و سیلیسوم رشد داده شدند. برای تولید پلاسما از منبع تغذیه فرکانس رادیویی با کوپل خازنی استفاده شده است. همچنین از ماده آلی سیل