بررسی خواص الکتریکی لایه نازک cupc و اثر تزریق اکسیژن و تغییرات دمایی بر گاف انرژی

بررسی برخی خواص الکتریکی لایه های نازک نانو ساختار اکسید روی تهیه شده به روش سل- ژل

چکیده: نظر بر اینکه اکسید روی یک نیم رسانا با گاف باندی پهن می باشد به عنوان یک ماده ی مفید برای گسترش قطعات الکترونیکی و اپتوالکترونیکی مورد استفاده قرار می گیرد. اکسید روی علاوه بر کاربرد به عنوان یک رسانای شفاف و حسگر گازی، در ساخت واریستورها و سلولهای خورشیدی مورد استفاده قرا

مطالعه خواص ساختاری و الکتریکی لایه نازک منگنایتهای la0.85a0.15mno3 (a:ca, sr(

در این پایان نامه ویژگی های ساختاری، الکتریکی و مغناطیسی نمونه های کپه ای و لایه نازک منگنایتهای la0.85sr0.15mno3 و la0.85ca0.15mno3مورد بررسی قرار گرفته است. ویژگی های مغناطیسی نمونه کپه ای lsmo توسط پذیرفتاری مغناطیسی متناوب مورد بررسی قرار گرفت.لایه نشانی منگنایتهای la0.85sr0.

بررسی خواص الکتریکی لایه ضخیم فتالوسیانین سرب (pbpc) و مقایسه آن با لایه های نازک زیر 100 نانومتر

لایه های نسبتا ضخیم و نیز نازکی از فتا لوسیانین سرب (pbpc) را بر روی الکترودهای آلومینیوم و طلای شانه ای شکل توسط روش تبخیر گرمایی در خلاء می نشانیم. با قرار دادن قطعه مورد نظر در مدار جریان الکتریکی متناوب (ac)، نمودارهای الکتریکی مربوطه را در دماهای مختلف و فرکانس های متفاوت رس

مشخصه یابی و بررسی تاثیر حرارت بر خواص الکتریکی برخی لایه های نازک فلزی

در دهه های اخیر نقش نانو ساختارها خصوصا لایه های نازک در فناوری های الکترونیکی و مغناطیسی گسترش فراوانی یافته اند. لایه های نازک رسانا در این میان از اهمیت بالایی برخوردار بوده و بنابر این بررسی خواص ساختاری و الکتریکی این دسته از لایه های نازک از اهمیت بسزایی برخوردار است. در ای

ساخت و مشخصه یابی لایه های نازک pbs و pbse و تأثیر اعمال میدان الکتریکی dc بر گاف انرژی

بررسی خواص الکتریکی ماده آلی فتالوسیانین مس (cupc) و اثر جذب اکسیژن و تغییرات دمایی بر روی آن

بررسی اثر غلظت وانادیوم بر خواص اپتیکی و الکتریکی لایه نازک نانو ساختار دی اکسید تیتانیوم تهیه شده به روش سل – ژل

در این پژوهش، لایه نازک دی اکسید تیتانیوم آلاییده شده با وانادیوم با غلظت­های مختلف ( 5/1،0 و 5 درصد وزنی) به روش سل-ژل بر روی زیرلایه­های شیشه­ای رسوب داده شد. خواص ساختاری، آنالیز عنصری، الکتریکی، اپتیکی و زبری سطح لایه­های نازک به ترتیب توسط روش­های XRD، DES، LCR meter، طیف سن

بررسی خواص ساختاری، اپتیکی و الکتریکی لایه نازک اکسید گرافن احیا شده بروش سنتز سبز

لایه نازک گرافن به دلیل خواص فیزیکی، شیمیایی، مکانیکی و حرارتی منحصر به فرد خود دارای کاربردهای گسترده ای در بسیاری از زمینه های علم و فناوری است. سنتز لایه های نازک گرافن با روش ارزان، دوستدار محیط زیست و کیفیت بالا یک چالش بزرگ است. در کار حاضر، ابتدا پودر اکسید گرافن GO به روش

بررسی خواص نوری، ساختاری و الکتریکی لایه نازک In2S3 به روش اسپری گرماکافت تحت تاثیر دما و نمک ایندیوم

لایه انتقال دهنده الکترون ETL ، نقش اساسی درکارایی سلول خورشیدی ایفا می‌کند. درسال های اخیر In2S3 به عنوان ETL درسلول های خورشیدی لایه‌نازک CZTS,Se ,CIGS,Se و پروسکایتی موردتوجه بوده است. لذا در این پژوهش از روش ارزان اسپری گرماکافت به منظور ساخت لایه‌های In2S3 استفاده گردیده است

بررسی اثر باز پخت بر روی خواص الکتریکی و نوری لایه های نازک شفاف رسانای ساخته شده از نانولوله های کربنی- نانو سیم نقره

لایه های نازک شفاف رسانا از نانولوله های کربنی چند جداره/ نانوسیم نقره با استفاده از پوشش دهی چرخشی ساخته شدند. اثر بازپخت نمونه های ساخته شده از دمای اتاق تا دمای ºc350 به مدت 30 دقیقه به منظور بهبود خواص الکتریکی و نوری لایه ها بررسی گردید. اندازه گیری ها نشان می داد که بازپخت

ارزیابی خواص نوری و ساختاری لایه نازک کربن آمورف گرافیتی انباشت شده به روش کندوپاش پرتو یونی در انرژی یون متفاوت

در تحقیق حاضر لایه نازک کربن آمورف گرافیتی به روش کندوپاش پرتو یونی بر زیرلایه شیشه انباشت شده است. تاثیر انرژی یون در محدوده گسترده از keV 8/1 تا keV 5 بر خواص نوری و ساختاری لایه نازک کربن آمورف بررسی شده است. نتایج بررسی خواص نوری و ساختاری به ترتیب با استفاده از طیفسنجی مرئی-

لایه‌نشانی، مشخصه‌یابی و بررسی خواص الکتریکی نوری لایه نازک نانو ساختار اکسید روی آلاییده شده با منیزیم تهیه شده به روش سل – ژل

اکسید روی (ZnO) به عنوان ماده نیمه ‌رسانا با شکاف نواری مستقیم و پهن، اهمیت زیادی در ساخت قطعات الکترونیکی مانند ترانزیستورهای اثر میدانی و قطعات اپتو الکترونیکی نظیر دیود های نور گسیل و همچنین آشکار سازی نوری دارد. در این پژوهش با استفاده از لایه ‌نشانی به روش سل – ژل، پوشش ‌های