تولید پالس های تراهرتز با استفاده از بلورهای فوتونی یک بعدی از طریق یکسوسازی اپتیکی
چکیده
چکیده‌ای برای این سند ثبت نشده است.
پایان‌نامه‌های مشابه
بررسی تولید هماهنگ دوم در بلورهای فوتونی غیر خطی یک بعدی با استفاده از روش ماتریس انتقال
تولید پالس اپتیکی کوتاه با شدت ثابت با استفاده از ترکیب مدولاتور الکترو اپتیکی و مواد غیر خطی
امروزه لیزرهای حالت جامد با پالس هایی از مرتبه ی پیکو ثانیه و کمتر، از اهمیت زیادی در بسیاری از زمینه ها از جمله: پزشکی، داروسازی، مخابرات، تبدیل غیرخطی فرکانس، فرآوری مواد وغیره برخوردارند. بطور کلی برای تولید چنین پالس هایی از دو روش کیوسویچینگ و قفل شدگی مد استفاده می گردد، که
محاسبه ساختار باند بلورهای فوتونی دو بعدی با استفاده از روش finite difference time domain (fdtd(
اسناد مشابه
تولید نور کُند توسط بلورهای فوتونی یک- بعدی جهت کاربرد در حافظه‌های کوانتومی
در این تحقیق، یک ابزار نوری کارآمد و کم‌حجم برای کند کردن نور با استفاده از بلورهای فوتونی موج‌دار با الگوهای مختلف مورد بحث و بررسی قرار گرفته است. ساختار پیشنهادی، تأخیر گروهی نسبتاً بزرگ با پهنای باند وسیع و پاشندگی سرعت گروه تقریباً صفر را در ناحیه فرو‌قرمز نزدیک نشان می‌دهد.
تأثیر استفاده از مواد با ضریب شکست منفی بر روی طیف های اپتیکی و مگنتواپتیکی بلورهای فوتونی مغناطیسی با مغناطش طولی
تمرکز این مقاله روی پتانسیل مواد با ضریب شکست منفی به منظور بهتر نمودن مشخصه های اپتیکی و مگنتواپتیکی بلورهای فوتونی مغناطیسی یک بعدی می باشد. ما قابلیت مواد دوگانه-منفی در مقایسه با مواد معمولی در بلورهای فوتونی مغناطیسی را بررسی کرده ایم. به عنوان یک نتیجه، دریافتیم که یک پهن ش
تأثیر استفاده از مواد با ضریب شکست منفی بر روی طیف‌های اپتیکی و مگنتواپتیکی بلورهای فوتونی مغناطیسی با مغناطش طولی
تمرکز این مقاله روی پتانسیل مواد با ضریب شکست منفی به منظور بهتر نمودن مشخصه‌های اپتیکی و مگنتواپتیکی بلورهای فوتونی مغناطیسی یک بعدی می‌باشد. ما قابلیت مواد دوگانه-منفی در مقایسه با مواد معمولی در بلورهای فوتونی مغناطیسی را بررسی کرده‌ایم. به عنوان یک نتیجه، دریافتیم که یک پهن‌ش
مهندسی گاف نوار فوتونی در بلورهای فوتونی یک بعدی با استفاده از ضرایب فرنل و مقایسه آن با نتایج روش ماتریس انتقال
در این مقاله گاف نوارهای بلور فوتونیکی یک بعدی با استفاده از دو روش ماتریس انتقال و روش ضرایب فرنل مقایسه می شود. در روش استفاده از ضرایب فرنل، با در دست داشتن ضرایب شکست هر یک از لایه ها و هم چنین زاویه تابش اولیه به سطح بلور، ضرایب فرنل عبوری و بازتاب بلور محاسبه شده و بعد شرط
مهندسی گاف نوار فوتونی در بلورهای فوتونی یک بعدی با استفاده از ضرایب فرنل و مقایسه آن با نتایج روش ماتریس انتقال
در این مقاله گاف نوارهای بلور فوتونیکی یک بعدی با استفاده از دو روش ماتریس انتقال و روش ضرایب فرنل مقایسه می‌شود. در روش استفاده از ضرایب فرنل، با در دست داشتن ضرایب شکست هر یک از لایه‌ها و هم‌چنین زاویه تابش اولیه به سطح بلور، ضرایب فرنل عبوری و بازتاب بلور محاسبه شده و بعد شرط