کمینه سازی اعوجاجات طیف بهره در scissor تقویت کننده رامان پهن باند
چکیده
چکیدهای برای این سند ثبت نشده است.
چکیدهای برای این سند ثبت نشده است.
در این پایان نامه، روش وردشی برای بدست آوردن شرایط بهینه برای کمینه کردن اعوجاج بهره بکار برده می شود،که این عملیات روی غلظت اربیم و ضریب شکست صورت می گیرد و سر انجام نشان داده می شود که تغییرات شعاعی غلطت اربیم و ضریب شکست بصورت تکه ای ثابت هستند.
ترکیبات میکرومشددهای حلقهای با جفتشدگیهای متفاوت میتوانند به عنوان اجزای پایهای در مدارهای مجتمع نوری بکار گرفته شوند. قابلیت میکرومشددهای حلقهای در انباشتگی نور، منجر به ایجاد اثرات غیرخطی حتی در شدتهای ورودی پایین شده و این ابزارهای نوری را برای مقاصد مختلفی از جمله تقوی
ترکیبات مختلف تشدیدگرهای میکروحلقه، از جمله عناصر کار آمد و مهم در مدارهای مجتمع نوری به شمار می روند. ترکیبی که در این پایان نامه تحت عنوان scissor یک کاناله بررسی می شود، از تشدیدگرهای میکروحلقه ای تشکیل یافته است که علاوه بر اینکه به طور موازی با موجبر مستقیم جفت شده اند، جفت
هدف از این مطالعه، آشنایی بیشتر با انواع ساختارهای تقویت کننده های کم نویزباند فوق پهن می باشد. تقویت کننده فوق، باید در یک عرض باند وسیع، دارای بهره توان بالا، تطبیق ورودی مناسب و عدد نویز کمی باشد و توان مصرفی و سطح اشغالی آن بر روی تراشه نیز تا حد ممکن کم باشد. طی چند سال اخیر
تقویت کننده نور بر روی مدارهای مجتمع نوری یکی از اساسی ترین اجزای این مدارها هستند. یکی از تقویت کننده های نوری، تقویت کننده رامان سیلیکونی است. به دلیل غیر خطی بودن اثر رامان، با افزایش شدت میدان، بهره مربوطه را می توان افزایش داد. هر پدیده ای از قبیل حضور پلاسمون که باعث افزایش
گسترش روز افزون سیستم های مخابرات بی سیمrf مانند تلفن های بدون سیم، ماهواره موقعیت یابی جهانی gps، شبکه های محلی بی سیم lan واستانداردهایی نظیر بلوتوث و نیاز به انتقال اطلاعات با سرعت های بالا در سال های اخیر، موجی قوی در جهت توسعه استانداردها و گیرنده های جدید ایجاد نموده است. د
در این مقاله با توجه به محدودیتهای تزویج و نیز محدودیتهای ساخت در ساختارهای ریز نوار، ساختار خط نواری سه لایه معرفی شده و با توجه به قابلیتهای این ساختار سه لایه، ساختارهای جدید و فشرده ای از فیلترهای پهن باند بر پایة پله های امپدانسی و خطوط تزویج شده مایکروویوی به عنوان قسمتهای
ساختارهای گیت مشترک همواره به سبب مقاومت ورودی کمی که از خود نشان می دهند، به عنوان طبقه اول در تقویت کننده های امپدانس انتقالی استفاده می گردند. این ساختار معمولا به تنهایی به عنوان یک تقویت کننده امپدانس انتقالی پاسخ گو نمیباشد و با ساختار های دیگر از جمله توپولوژی های تفاضلی ب
استفاده از سیستمهای ضبط سیگنال های عصبی در علوم پزشکی در تشخیص بیماریهای مختلف به طور قابل توجهی رو به رشد است. سیگنالهای عصبی با توجه با ماهیت آنها, دامنهی بسیار کمی دارند بنابراین جهت انجام هرگونه پردازش روی این سیگنالها ابتدا باید آنها را تقویت کرد. سیگنال های عصبی دارای محد
در این مقاله، یک مدار تقویت کننده امپدانس انتقالی در تکنولوژی µm cmos18/0 برای استفاده در سیستم های مخابرات نوری ارائه می شود. در این مدار یک پیش تقویت کننده rgc در ورودی استفاده شده است. ساختار rgc در ورودی برای افزایش هدایت انتقالی و کاهش امپدانس ورودی به کار برده شده است ساختا
رسوب گذاری در مخازن سدها امری اجتناب ناپذیر است. این پدیده آثار نامطلوب زیادی در مخازن دارد، مانند کاهش حجم مفید مخزن، کاهش پایداری سد، عملکرد نامناسب دریچه های بهره برداری و پنستاک ها و کاهش حجم کنترل سیلاب. کمینه سازی رسوب گذاری در مخازن یک مسئله بهینه سازی غیرخطی مقید است. قید