پایان‌نامه‌های مشابه

  • نقص نقطه ای ابررسانا در بلورهای فوتونی دو بعدی

    پایان‌نامه۲۰۱۲وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز - دانشکده فیزیکرسول هاشمی

    بلورهای فوتونی با شکاف نواری فوتونی، موادی هستند که دارای ساختار متناوب هستند. مطالعه ساختارهای این مواد توجه خیلی زیادی را به هر دو حوزه تئوری و تجربی به خاطر پتانسیل کاربردیشان در اپتوالکترونیک و همچنین توانایی کاربردی این مواد در ارتباطات از راه دور، شامل موجبرها، فیلترهای نور

  • بررسی خواص بلورهای فوتونی پاشنده دو بعدی

    پایان‌نامه۲۰۱۰وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز - دانشکده فیزیکعلی اصغر صدقی

    بلورهای فوتونی ساختارهای متناوبی هستند که به منظور کنترل انتشار نور به طور مصنوعی طراحی شده اند. بسته به نوع مواد تشکیل دهنده بلورهای فوتونی به دو دسته تقسیم می شوند: (1) بلورهای فوتونی دی الکتریک (2) بلورهای فوتونی پاشنده مانند بلورهای فوتونی فلزی، نیمه هادی و مغناطیسی. در یک بل

  • مطالعه‎ی اثر نقص بر جابه‎جایی گوس–هانچن در بلورهای فوتونی یک بعدی در حضور متا‎ماده

    پایان‌نامه۲۰۱۳وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز - دانشکده فیزیکهدایت پورآسیاب دیزج

    متامواد چپگرد مواد مصنوعی هستند که ضرایب گذردهی الکتریکی و تراوایی مغناطیسی آنها به طور همزمان منفی بوده و دارای ضریب شکست منفی هستند. حضور این مواد در ساختارهای بلورهای فوتونیکی سبب پدیده های اپتیکی جالبی شده است. به همین خاطر در این پایان نامه اثر لایه نقص در ساختار شامل متاماد

  • مطالعه خواص گاف نواری بلورهای فوتونی شامل لایه نقص ابررسانا

    پایان‌نامه۲۰۱۰دانشگاه تربیت معلم - تبریز - پژوهشکده علوم پایه کاربردیحسین مهدیزاده

    موقع مطالعه در مورد مواد نوری متداول دو نوع ناحیه پراکندگی وجود دارد. در یک ناحیه محیط یکنواخت که تغییرات در ویژگی ماده آن در مقایسه با طول موج نور تابشی خیلی کوچک است(شکل 1-الف)[2]. در این محیط که از ذرات پراکننده مجزا مانند اتم ها ساخته شده، یک پاسخ نوری متوسط توسط اتمها ایجاد

  • اثر تداخل کوانتومی بر طیف گسیل خودبخود و جذب و پاشندگی اتمهای شش ترازی تحت میدان در بلورهای فوتونی حاوی نقص

    پایان‌نامه۲۰۱۱وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز - دانشکده فیزیکسولماز نفیسا

    چکیده : آنچه بخوبی شناخته شده این است که گسیل خودبخود یک اتم نه تنها به خواص سیستم اتمی تحریک شده وابسته است بلکه به خواص محیط احاطه کننده اتم نیز وابسته می باشد. از نقطه نظر محیط احاطه کننده اتمها، ساختارهای گاف باند فوتونی (pbg) چگالی حالات متفاوتی نسبت به فضای آزاد از خود نشان

  • تعریض گاف باند فاز موثر صفر در بلورهای فوتونی یک بعدی سه لایه ای

    پایان‌نامه۲۰۱۵وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه بناب - دانشکده علوماصغر فتح زاده

    بلورهای فوتونی ساختارهای جالبی هستند که توانایی کنترل جریان های فوتونی بوسیله تشکیل گاف باند فوتونی را دارند. رفتار فوتونها در بلورهای فوتونی مشابه رفتار الکترونها درون بلورهای نیمرساناست که بوسیله باند های رسانش و ممنوعه کنترل می شوند، به همین دلیل امروزه از فوتونهای با سرعت بال

اسناد مشابه