بررسی ترابرد وابسته به اسپین الکترون از شیر اسپینی لکه ی کوانتومی

طراحی گیت های کوانتومی با استفاده از تونل زنی اسپین الکترون در زنجیر نقاط کوانتومی

الگوریتم های محاسبات کوانتومی در واقع عملیات متوالی منطقی هستند که روی کیوبیت ها انجام می گیرند. در حالت کلی کیوبیت ها اطلاعات کوانتومی را ذخیره می کنند و توسط عملیات منطقی کنترل شده که تحت عنوان گیتهای کوانتومی خوانده می شوند، تغییر حالت می دهند. بدین منظور سیستم-های فیزیکی بسیا

ترابرد همدوس تک الکترون در جفت نقطه کوانتومی با استفاده از میدان خارجی نوسانی

پیکربندی اسپینی و ترابرد وابسته به اسپین در سیلیسین

در این پایان نامه، پیکربندی اسپینی و ترابرد وابسته به اسپین در سیلیسین مورد مطالعه و بررسی قرار می گیرد. سیلیسین یک ساختار لانه زنبوری تک لایه از اتم های سیلیکون می باشد که برهم کنش اسپین-مدار ذاتی در آن بر خلاف گرافین درخور توجه است. پیش تر با استفاده از روش تنگ-بست مدل هامیلتون

بررسی و مدیریت اندرکنش اسپین الکترون در نقاط کوانتومی

بیت کوانتومی معادل بیت کلاسیکی دیجیتال می باشد که برای ذخیره سازی اطلاعات کوانتومی مورد استفاده قرار می گیرد. یکی از بهترین ایده ها برای تحقق کیو بیت، استفاده از حالت های اسپینی الکترون محبوس شده در یک تقطه کوانتومی می باشد ولی در این بین، یکی از موانع جدی که بر سر راه تحقق وذخیر

مطالعه ترابرد وابسته به اسپین در نانو نوارهای گرافینی خمیده

در این پایان نامه، ما ترابرد الکترونی در گرافین را در حضور برهم کنش اسپین-مدار راشبا با استفاده از روش ماتریس انتقال مورد مطالعه قرار می¬دهیم. ابتدا یک ناحیه¬ی اسپین-مدار ناهمگن بین دو ناحیه¬ی نرمال در یک گرافین تخت در نظر می¬گیریم، که در مرز ناحیه¬ی بین اسپین-مدار با ناحیه¬ی نرم

مطالعه ی رفتارگذرای وابسته به زمان ترابرد الکتریکی از یک جفت نقطه ی کوانتومی موازی با استفاده از رهیافت تابع گرین غیرتعادلی

نقاط کوانتومی یک نوع از ابزار مصنوعی تولید شده محسوب می شوند. به طور کلی نقاط کوانتومی ناحیه هایی کوچک از مواد نیم رسانا معرفی می شوند که اندازه ی آن ها از مرتبه ی 100 ‎ نانومتر است. یک نقطه ی کوانتومی یک ابزار رسانا در مقیاس زیرمیکرونی است که شامل چندین هزار الکترون است. نقاط کو

بررسی اثرات ترابرد اسپینی در یک حلقه متشکل از سه نقطه کوانتومی

در این تحقیق بر اساس تکنیک تابع گرین برخی خواص ترابرد اسپینی یک ساختار حلقوی متشکل از سه نقطه کوانتمی مورد توجه قرار گرفته است. در این ساختار، یکی از نقاط کوانتومی غیر مغناطیسی در نظر گرفته می شود و برهم کنش اسپین- مدار راشبا روی این نقطه کوانتومی اعمال می شود، درحالیکه دیگر نقاط

ترابرد الکتریکی در یک سیم کوانتومی "Ga1-xAlxAs" در حضور برهمکنش الکترون- فونون

در این مقاله، با استفاده از رهیافت تابع گرین خواص ترابرد الکتریکی یک ساختار متجانس شبه یک بعدی مبتنی بر (مانند سیم کوانتومی) در حضور برهمکنش الکترون- فونون به طور نظری مطالعه میشود. برای این منظور، ساختار مورد نظر با طول محدود را بین دو الکترود نیمبینهایت فلزی در نظر میگیریم. با

ترابرد الکتریکی وابسته به اسپین در ساختارهای نامتجانس Fe-MgO-Fe

در این مقاله خواص ترابرد الکتریکی وابسته به اسپین را در ساختارهای نامتجانس مغناطیسی شامل دو الکترود فرومغناطیس آهن جدا شده با یک لایه عایق مغناطیسی اکسید منیزیم بررسی می‌شود. این خواص شامل جریان الکتریکی، قطبش اسپینی و مقاومت مغناطیس تونل‌زنی می‌باشد. برای این منظور در راستای عمو

قطبش اسپینی و رسانش وابسته به اسپین در نانو نوار تک لایه زیگزاگ فسفرین در حضور میدان الکتریکی خارجی

با استفاده از روش تابع گرین غیر تعادلی ترکیب شده با تکنیک لوپز سانچو، به تحلیل و بررسی ترابرد الکترونی وابسته به اسپین در نانونوار زیگزاگ فسفرینZPNR تک لایه در رژیم بالستیک پرداخته شده است. مطالعات نشان میدهد که رسانش اسپینی میتواند توسط یک میدان الکتریکی خارجی قابل کنترل که از ط