شبیه سازی میدان نزدیک سطوح دی الکتریک در مقیاس نانومتری بااستفاده از روش حل عددی عناصر مرزی
چکیده
چکیدهای برای این سند ثبت نشده است.
چکیدهای برای این سند ثبت نشده است.
در این پایان نامه انتشار امواج الکترومغناطیسی در داخل یک موجبر تخت و مدهای تشدید در داخل یک میکرو حلقه، به روش عددی عناصر مرزی محاسبه شده است. روش عددی به کار رفته بر اساس استفاده از قضیه گرین می باشد که باعث سریع تر شدن و صرفه جویی در زمان و حافظه محاسباتی در برنامه رایانه ای شد
یکی از میکروسکوپ هایی که در حوزه ی نانومتری به کار برده می شود میکروسکوپ نوری روبشی میدان نزدیک است. تفکیک پذیری میکروسکوپ های معمولی در ابعاد طول موج نور است در حالیکه این میکروسکوپ ها با استفاده از میدان نزدیک، تفکیک پذیری کمتر از طول موج را امکانپذیر می سازند. در این پایان نام
توجه روز افزون به علم و فن آوری نانو، مطالعه پدیده های نوری در مقیاس نانو متری را امری اجتناب ناپذیر کرده است. از سوی دیگر، حد پراش به ما اجازه نمی دهد تا نور را در ابعاد تقریباً کوچک تر از نصف طول موج ( 200) متمرکز کنیم. با این حال، در سال های اخیر، روشهای جدیدی برای کوچک کردن
از آنجایی که اندازه گیری میدان نزدیک به صورت داخلی انجام می شود و این روش تست آنتن های بزرگ را در محیط کنترل شده ممکن می کند، این روش اندازه گیری مورد توجه قرار دارد. در این پژوهش اندازه گیری یک آنتن به روش میدان نزدیک صفحه ای شبیه سازی شده است. آنتن تحت آزمایش یک آنتن بوقی دایرو
هدف از این تحقیق بررسی میدان جریان، میدان دما و انتقال حرارت جابجایی طبیعی نانوسیال آب -اکسید تیتانیوم در محفظه ای مربعی شیب دار و تحت تأثیر میدان مغناطیسی زاویه دار می باشد. دیواره های افقی محفظه عایق بوده، دیواره سمت چپ گرم و دیواره سمت راست آن سرد است. مطالعه در اعداد رایلی 3¬
در این پژوهش یک مطالعه عددی بر روی جریان همراه با ذرات داخل زانویی °90 با سطح مقطع مربع شکل صورت گرفته است. برای شبیه سازی میدان جریان از روش شبیه سازی گردابه های بزرگ و برای حل معادلات ذره از دیدگاه لاگرانژین استفاده شده است. نتایج برای دو عدد رینولدز 104 و 105 که مربوط به جریان
در این پژوهش، روش میدان های تصادفی برای شبیه سازی مستقیم عددی کاهش درگ آشفته به کمک میکروفیبرها توسعه داده شده است. برای این منظور، معادلات حاکم بدون هیچ ساده سازی بر روی یک شبکه اویلری در فضای فیزیکی گسسته شده اند. برای گسسته سازی از یک روش تفاضل محدود بالا دست مرتبه پنجم استفاد
در مقاله حاضر، سقوط قطره سیال فرو در سیال غیر مغناطیسی تحت اثر میدان مغناطیسی یکنواخت در جریان دوفازی به صورت عددی مطالعه می شود. برای این منظور، از روش ترکیبی شبکه بولتزمن مدل شان- چن و روش حجم محدود استفاده شده است. معادله شبکه بولتزمن با استفاده از اضافه کردن ترم نیروی مغناطیس
جریان آرام تراکم ناپذیر سیال غیر نیوتنی روی یک صفحه کشسان متحرک، در حضور یک میدان مغناطیسی یکنواخت مطالعه شده است. سرعت صفحه مشخص و در طول آن به صورت خطی تغییر میکند. به کمک تبدیلات تشابهی، دستگاه معادلات پارهای حاکم بر جریان به یک دستگاه معادلات دیفرانسیل معمولی غیر خطی تبدیل
در این تحقیق، پسروی گرینهای دوبعدی موتورهای سوخت جامد با روش سطوح همتراز مرتبه دوم شبیهسازی شده و این روش از نظر نحوه پیاده سازی، میزان دقت و زمان اجرا با روش سطوح همتراز مرتبه اول مقایسه شده است. بدین منظور، با درنظرگرفتن الزامات کلی روش سطوح همتراز و با هدف تحلیل پسروی، ا
جریان آرام تراکم ناپذیر سیال غیر نیوتنی روی یک صفحه کشسان متحرک، در حضور یک میدان مغناطیسی یکنواخت مطالعه شده است. سرعت صفحه مشخص و در طول آن به صورت خطی تغییر می کند. به کمک تبدیلات تشابهی، دستگاه معادلات پاره ای حاکم بر جریان به یک دستگاه معادلات دیفرانسیل معمولی غیر خطی تبدیل