بررسی خواص اپتوالکتریکی نانو ساختارهای tio2
چکیده
در این پایان نامه نانو ساختارهای سطحیtio2 بر روی زیر لایه سیلیکان با سطوح متفاوت: صیقلی، متخلخل و روکش شده با لایه نازک طلا با استفاده از دو روش تبخیر در خلا و همچنین تبخیر در کوره حرارتی رشد داده شده است. و عوامل موثر بر رشد این نانو ساختارها از جمله دمای پخت نیز مورد بررسی و تحلیل قرار گرفته است برای بررسی خواص ساختاری و همچنین مورفولوژی سطح نانو ساختارهای تولید شده از پراش اشعه x و همچنین از تصاویر میکروسکوپ روبشی الکترونی (sem)بهره گرفته ایم. به منظور بررسی ثوابت اپتیکی و دی الکتریکی و گاف و ضریب جذب از طیف بازتاب نمونه های ساخته شده در بازه طول موج 200 تا 1000 نانومتر استفاده کرده وسپس با استفاده از روابط کرامرز کرونیگ به تحلیل داده ها می پردازیم. بررسی نتایج نشان می دهد که رشد ذراتی با ابعاد حدود 40 نانومتر بر روی سیلیکان با پوشش طلا قابل کنترل بوده و روشهای ساخت این کریستال ها بر خواص اپتیکی آنها اثر قابل توجهی نشان می دهد.