بررسی پدیده نوفه شلیکی در سیم های کوانتومی نیمه هادی با استفاده از رهیافت تابع گرین غیرتعادلی
چکیده
در این پروژه، ما قصد داریم خواص ترابرد الکتریکی یک سیم کوانتمی نیمه¬هادی متصل به دو الکترود فلزی نیم-بی¬نهایت ایده¬ال را در فرمول¬بندی کلدیش مبتنی بر تابع گرین غیرتعادلی بررسی کنیم. این فرمولبندی برای حالتی که در سیستم مورد نظر برهمکنش¬هایی مانند برهمکنش کولنی وجود داشته باشد به کار می¬رود. برای این کار، هامیلتونی سیستم را در مدل بستگی قوی نوشته و اثر برهم کنش کولنی و ولتاﮊ خارجی را برای الکترون¬های در درون سیم کوانتمی در نظرگرفته می¬گیریم. با محاسبات عددی بر روی چگالی جریان الکتریکی و توان نوفه¬ شلیکی خواص ترابرد الکتریکی سیم کوانتمی مورد نظر بررسی می¬شود. همچنین تاثیر ﭘارامترهای دیگری مانند طول سیم، شدت انرژی¬های اتصالات به کاررفته در ساختار مطالعه می¬شود. نتایج عددی این پایان نامه ممکن است برای طراحی ادوات الکترونیکی در مقیاس نانو مفید باشد.