شبیه سازی رشد لایه های نازک اکسید روی به روش مونت کارلو
چکیده
رشد برآراسته لایه های نازک یکی از مهمترین تکنیک های تولید ابزارهای الکترونیکی و اپتیکی است. در لایه های برآراسته ی هم خانواده وجود نقص در ساختار، موجب ایجاد کرنش در لایه ها می شود و تغییر شکل نانو ساختارها شدیدا به ساختار ریز آنها مانند نقایص، مرزدانه ها و سطح وابسته است. شبیه سازی کامپیوتری یک راه مناسب برای درک رفتار مواد در مقیاس اتمی است. اکسید روی یکی از مهمترین مواد در صنعت نیمرساناست که رشد براراسته آن در صنعت اهمیت زیادی دارد. در این تحقیق برای مطالعه رشد هم خانواده لایه های نازک اکسید روی از شبیه سازی مونت کارلو جنبشی استفاده شده است. در این شبیه سازی اثر تغییرات آهنگ انباشت و دما بر روی لایه ها بررسی شده است. نتایج بدست آمده نشان دهنده وابستگی کمیت هایی مانند اندازه جزیره ها، ساختار لایه ها، زبری و تنش باقیمانده به دما، نسبت اتم ها در شار فرودی وآهنگ انباشت می باشند. با افزایش آهنگ انباشت، ساختار لایه ستونی شده و لایه ها زبرتر می شوند و تنش در لایه ها افزایش می یابد. افزایش دمای زیرلایه باعث ایجاد ساختار جزیره ای، صاف و با تنش کمتر می شود. این نتایج از نظر کیفی با مشاهدات تجربی توافق خوبی دارند.