بررسی تاثیر تابش میدان های مغناطیسی 217 هرتز ناشی ازگوشی تلفن همراه gsm900 برمیزان مرگ و میر رده سلولی erythroleukemia k562 و سلولهای lymphocyte تیمار شده با الکتروکموتراپی در شدت های پایین و فرکانس 5 کیلوهرتز
چکیده
مقدمه: با توجه به رشد روزافزون وسایل الکترونیکی خانگی و تجاری در دنیای امروز، اثرات بیولوژیکی میدان های کم فرکانس در دو سطح مولکولی- سلولی و حیوانی- انسانی مورد مطالعه قرار گرفته است. با توجه به دیدگاه درمانی این پژوهش در محور تاثیر میدان های 217هرتز گوشی های gsm، هدف این تحقیق، بررسی میزان مرگ و میر سلول های سالم و سرطانی تیمار شده با پالس های الکتریکی در شدت های پایین و داروی شیمی درمانی متعاقب تابش میدان مغناطیسی بوده است. مواد و روش ها: بر اساس اندازه گیری شدت میدان های مغناطیسی ناشی از گوشی موبایل در تحقیقات دیگر، چگالی های شار میدان مغناطیسی 44/159،120 و 25/93 میکروتسلا با فرکانس 217 هرتز در سیستم مولد میدان مغناطیسی ایجادشد. میزان آپوپتوز در سلول های سرطانی k562 و سلول های سالم لنفوسیت تیمارشده با شیمی درمانی، الکتروپوریشن و الکتروکموتراپی متعاقب تابش میدان با استفاده از روش فلوسایتومتری بررسی شد. یافته ها: نتایج حاصل نشان می دهد که میدان های مغناطیسی 217 هرتز تلفن همراه به تنهایی در برخی از شدت ها باعث افزایش معنی داری در میزان آپوپتوز سلول های سرطانی شده اند اما تاثیری بر میزان آپوپتوز ناشی از داروی شیمی درمانی ندارند. این میدان ها باعث کاهش معنی داری در میزان درصد آپوپتوز در سلول های تیمارشده با الکترپوریشن و الکتروکموتراپی متعاقب میدان در مقایسه با هریک از این درمان ها به تنهایی داشته اند. نتیجه گیری: یافته های بدست آمده از این تحقیق نشان می دهد که سلول ها در اثر تابش سیگنال های 217 هرتز تلفن همراه، مقاومتی را در برابر مرگ و میر ناشی از درمان الکتروپوریشن و الکتروکموتراپی از خود نشان می دهند. نتایج این مطالعه وجود اثرات پنجره ای شدت میدان مغناطیسی را در تغییرات ایجاد شده خاطرنشان می کند.