مطالعه نظری خواص الکترونیکی و اپتیکی ga1-xalxas

ایمان عوض زاده

پایان‌نامه

مطالعه نظری خواص الکترونیکی و اپتیکی ga1-xalxas

چکیده

در این پژوهش خواص الکترونیکی و اپتیکی ترکیبga1-xalxas ‎ به ازای ‎x=0, 0.25, 0.75, 1‎ با استفاده از اصول اولیه و روش نظریه تابعی چگالی مطالعه شده است. این بررسی ها با استفاده از محاسبه انرژی کل و از طریق روش امواج تخت تقویت شده خطی (fp-lapw) که بر پایه نظریه تابعی چگالی dft هوهنبرگ-کوهن شم استوار است، به کمک کد wien2k صورت گرفته است. در ارتباط با برهمکنش های پتانسیل همبستگی تبادلی از تقریب چگالی موضعی lda و تقریب گرادیان تعمیم یافته gga بهره جسته ایم.‎‎ محاسبات نشان داد که با افزایش مقدار آلومینیوم (x) در ترکیب، اندازه گاف بزرگتر می شود و به ازای مقادیر ‎ x=0.42‎ گاف انرژی از حالت مستقیم در راستا‎ی ‎gamma-gamma ‎‎به غیر مستقیم در امتداد ‎x-gamma‎ تبدیل می شود. نتایج بدست آمده برای gaas یک گاف نواری مستقیم در امتداد gamma-gamma به بزرگی 1.1ev و برای alas یک گاف نواری غیر مستقیم در امتداد x-gamma‎‎‎ به مقدار 2.1ev را نشان می دهد. بررسی خواص اپتیکی نشان می دهد که ضریب شکست با افزایش مقدار آلومینیوم (x) در ترکیب کاهش پیدا می کند، به طوری که مقدار آن برای gaas 3.22 و برای alas 2.8 بدست آمد. با استفاده از طیف اتلاف انرژی الکترون، انرژی پلاسمون برای ترکیب ‎ga1-xalxas را در حدود 15.4ev‎‎ بدست آوردیم.

اساتید راهنما و مشاور

سید محمد حسینی، طیبه مولاروی

دانلود متن کامل

نسخه‌ی محفوظ در ویراساینس

برای دانلود رایگان وارد شوید یا ثبت نام کنید

دانشگاه: دانشگاه فردوسی مشهد
سال: ۱۳۹۰

ذخیره در کتابخانه

استناد

ایمان عوض زاده (2011). مطالعه نظری خواص الکترونیکی و اپتیکی ga1-xalxas. https://www.virascience.com/thesis/536684/

@phdthesis{زاده2011,
  title = {مطالعه نظری خواص الکترونیکی و اپتیکی ga1-xalxas},
  author = {ایمان عوض زاده},
  year = {2011},
  school = {وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه فردوسی مشهد},
  url = {https://www.virascience.com/thesis/536684/}
}

TY  - THES
TI  - مطالعه نظری خواص الکترونیکی و اپتیکی ga1-xalxas
AU  - ایمان عوض زاده
PY  - 2011
UR  - https://www.virascience.com/thesis/536684/
ER  -

[
  {
    "id": "thesis:536684",
    "type": "thesis",
    "title": "مطالعه نظری خواص الکترونیکی و اپتیکی ga1-xalxas",
    "author": [
      {
        "literal": "ایمان عوض زاده"
      }
    ],
    "URL": "https://www.virascience.com/thesis/536684/",
    "language": "fa",
    "issued": {
      "date-parts": [
        [
          2011
        ]
      ]
    },
    "publisher": "وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه فردوسی مشهد"
  }
]

BibTeX · RIS · CSL-JSON

این موضوع در پایان‌نامه‌ها

کلیدواژه‌ها

پایان‌نامه‌های مشابه

بررسی خواص الکترونیکی، اپتیکی و ترموالکتریکی cosb3 و ترکیبات وابسته به آن
پایان‌نامه۲۰۱۰دانشگاه تربیت معلم - سبزوار - دانشکده علوممرضیه سادات غضنفری
نتیجه گیری در این پروژه، در زمینه ی نظری، خواص الکترونیکی، اپتیکی و ترموالکتریکی cosb3و mco4sb12 (m=la, tl, y) مطالعه شده است. قرار دادن اتم های y ، la و tl در تهیجاهای شبکه ای آنتیموان کبالت باعث گسترش شبکه بلوری این ترکیب می شود. که افزایش پارامترهای شبکه، خواص الکترونیکی را به
مطالعه نظری خواص الکترونی، اپتیکی و مغناطیسی نانو ساختارهای نیمرسانا
پایان‌نامه۲۰۱۲وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی شاهرود - پژوهشکده فیزیکمهدی سلیمانی
دراین مطالعه از روش های مونت کارلو، ترکیبی ژنتیک-مونت کارلو-وردشی ، ترکیبی ژنتیک-مونت کارلو-وردشی بایاس شده (ترکیب با روش برون یابی)، تفاضل محدود، ماتریس چگالی فشرده، ماتریس انتقال، مرز عبوری کوانتومی، نظریه تابعی چگالی اسپینی وابسته به دما و k.p شش نواره خودسازگار استفاده شده اس
بررسی خواص الکترونیکی و اپتیکی در اثر تغییر درصد اتم های na و k در ترکیب پیزوالکتریکی k2)x(na2)1-xtio3)
پایان‌نامه۲۰۱۳دانشگاه تربیت معلم - سبزوار - دانشکده علوم پایهسمیرا کیمیایی
در این پایان نامه خواص الکترونیکی و اپتیکی ترکیبk2tio3 در حالت خالص و اثر جانشانی اتم na به جای اتم k و همچنین خواص الکترونیکی و اپتیکی ترکیب (k2)x(na2)1-xtio3 مطالعه شده است. محاسبات به روش امواج تخت تقویت شده خطی (fl-lapw) در چارچوب نظریه تابعی چگالی (dft) با تقریب شیب تعمیم یا
بررسی اثر جانشینی اتم zrدر ترکیب پیزوالکتریک catio3 (به جای اتم ti) روی خواص الکترونیکی و اپتیکی
پایان‌نامه۲۰۱۳دانشگاه تربیت معلم - سبزوار - دانشکده علوم پایهغزاله سخت کار حدادی
در این پژوهش خواص الکترونیکی شامل: ساختار نواری، چگالی حالت¬های کلی و چگالی ابر الکترونی و همچنین خواص اپتیکی از جمله تابع دی¬الکتریک، ضریب شکست، طیف اتلاف انرژی الکترون، بازتابش اپتیکی، جذب اپتیکی و هدایت اپتیکی برای دو ترکیب پیزوالکتریک catio3وcazro3 در فاز اورترومبیک و اثر جان
بررسی اثر جانشینی اتم های ناخالصی تیتانیم و ناخالصی دیگر در صورت امکان در ترکیب na0.5bi0.5tixzr(1-x)o3 روی تغییرات خواص الکترونیکی و اپتیکی
پایان‌نامه۲۰۱۳دانشگاه تربیت معلم - سبزوار - دانشکده علوم پایهفرشید قلعه نوی
در این پژوهش خواص الکترونیکی و اپتیکی بلورهای bi0.5na0.5tio3 (bnt)، bi0.5na0.5ti0.5zr0.5o3 (bntz) و bi0.5na0.5zro3 (bnz) در فاز تتراگونال مورد بررسی قرار گرفت. از جمله ی این خواص می توان به چگالی ابر الکترونی، ساختار نواری، چگالی حالت ها و خواص دی الکتریک، هدایت اپتیکی، بازتابندگ
مطالعه ی نظری خواص اپتیکی خطی نانولوله های کربنی و بررسی اثر کایرالیتی بر روی این خواص
پایان‌نامه۲۰۱۱وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه لرستان - دانشکده علوم پایهامیرعلی ریحانی هولیقی
عبارتی تحلیلی برای قسمت حقیقی و موهومی پذیرفتاری اپتیکی خطی نانولوله های کربنی تک دیواره ی زیگزیگ برحسب تابعی از انرژی بدون بعد فوتون بدست آورده شده است.محاسبات عددی نشان می دهد که شدت و موقعیت پیک های پذیرفتاری اپتیکی وابسته به ثابت پهن شدگی و تکانه ی زاویه ای در امتداد جهت سمتی

اسناد مشابه

بررسی جامع خواص ساختاری، الکترونیکی، اپتیکی و ترموالکتریک ماده دوبعدی MoSi2N4 مبتنی بر نظریه تابع چگالی (DFT)
مقاله۲۰۲۶اپتوالکترونیک نظری و کاربردینصرتعلی وهابزاده
در این پژوهش، خواص ساختاری، الکترونیکی، اپتیکی و ترموالکتریک ماده دوبعدی MoSi₂N₄ با استفاده از محاسبات مبتنی بر نظریه تابع چگالی (DFT) مورد بررسی قرار گرفته است. نتایج محاسبات انرژی–حجم نشان می‌دهند که MoSi₂N₄ از نظر ترمودینامیکی پایدار بوده و مدول بالک بالا، سختی مکانیکی و تراکم
A Systematic Approach for Multidimensional, Closed-Form Analytic Modeling: Effective Intrinsic Carrier Concentrations in Ga1−xAlxAs Heterostructures
سند علمی۲۰۰۲Journal of research of the National Institute of Standards and TechnologyHerbert S. Bennett, James J. Filliben
A critical issue identified in both the technology roadmap from the Optoelectronics Industry Development Association and the roadmaps from the National Electronics Manufacturing Initiative, Inc. is the need for predictive computer simulations of processes, devices, and circuits.
EXCITON-PHONON SYSTEM IN GaAs-Ga1-xAlxAs QUANTUM-WELL WIRES
سند علمی۲۰۱۷M. Degani, O. Hipólito
The binding energies o f l i gh t and heavyhole exciton-phonon systems i n GaAs-Ga A1 As quantum wires are calculated as a function o f the s i z e s o f the I-x x wire for Several values of the heights o f the barrier potential. I t is found that the corrections due t o exciton-
سنتز نانوذرات اکسید آلومینیوم به روش سل-ژل و بررسی اثر فازهای α و γ آن‌ها به‌عنوان لایه مزومتخلخل بر خواص ساختاری، اپتیکی و فتوولتائیک سلول‌های خورشیدی پروسکایتی
مقاله۲۰۲۶نانو مقیاسناصر جهانبخشی زاده، محمود برهانی زرندی، محمدباقر عسکری، میلاد ثانی
در این پژوهش، نانوذرات α-Al2O3 و γ-Al2O3 به روش سل-ژل سنتز شده و پس از تهیه خمیر مزومتخلخل، به‌عنوان زیرلایه پروسکایت در سلول‌های خورشیدی پروسکایتی با ساختار FTO/Compact TiO2/Mesoporous Al2O3/CH3NH3PbI3/CuInS2/Au به‌کار گرفته شدند. هدف این مطالعه بررسی تأثیر فاز بلوری اکسید آلومی
A Systematic Approach for Multidimensional, Closed-Form Analytic Modeling: Minority Electron Mobilities in Ga1−xAlxAs Heterostructures
سند علمی۲۰۰۰Journal of research of the National Institute of Standards and TechnologyHerbert S. Bennett, James J. Filliben
A significant, practical challenge, which arises in developing computationally efficient physical models for use in computer simulations of microelectronic and optoelectronic devices (for example, transistors in digital cellular phones and lasers in optical networks, respectively
LOW FREQUENCY RAMAN SCATTERING IN MIXED Ga1-xAlxAs AND Ga1-xInxAs ALLOYS
مقاله‌ی دسترسی آزاد۱۹۸۱Le Journal de Physique ColloquesR.Carles, N.Saint-Cricq, A.Zwick, M. A.Renucci