بررسی حالت های پولاریتونی در نانوساختارهای نیم رسانا
چکیده
چکیدهای برای این سند ثبت نشده است.
چکیدهای برای این سند ثبت نشده است.
شکلها از متن کامل مقاله برداشته شدهاند و حقوقشان از آنِ نویسندگان و ناشر است.
منظور از دو(چند)پایایی نوری، حالتی است که در آن دو(چند) شدت خروجی پایدار متفاوت برای یک شدت ورودی معین ممکن می شود. خاصیت دوپایایی نوری، یکی از اصول مهمی است که در ساخت ترانزیستورها، کلیدها، مدارهای منطقی، حافظه ها و ... به کار گرفته می شود. قابلیت کنترل پذیری سیستم های همدوس نظی
در سال¬های اخیر بررسی اثر اسپین مربوط به جفت¬شدگی اسپین- مدار در ساختارهای کوانتومی نیم¬رسانا به ویژه نقاط کوانتومی توجه بسیاری از محققان را به خود جلب نموده است. کنترل اسپین مستلزم این است که اسپین، تمیز پذیر باشد و این بدین معنی است که تبهگنی اسپینی باید از میان برداشته شود. یک
در دهه های اخیر که موضوع کامپیوترها و اطلاعات کوانتومی گسترش یافته است، نتایج فراوانی در مورد حالت های درهم تنیده به دست آمده است. تقریباً تمام آزمایش هایی که تاکنون برای فرآیندهای انتقال اطلاعات کوانتومی انجام شده اند از حالت های در هم تنیده ی قطبش فوتون ها استفاده می کنند. فوتو
افزارههای نورگسیل پولاریتونی، نسل جدیدی از ادوات اپتوالکترونیکی محسوب میشوند که شامل دیودهای نورگسیل پولاریتونی و لیزرهای پولاریتونی میباشند. در سالهای اخیر، گزارشهای ارایه شده توسط گروههای تحقیقاتی مختلف نشان داده که این افزارهها خصلتهای جالبی را دارا میباشند. به عنوان
چکیده کاربرد نظریه k.p در بررسی حالات الکترونیکی نانو ساختارهای نیم¬رسانا اسماعیل مهدیزاده سروستانی بیشتر خواص اپتوالکترونیکی مواد نیم¬رسانا از قبیل جرم موثر الکترون و حفره، چگالی حالات نوار رسانش و ظرفیت و شکاف نواری در نظریه نواری جامدات نهفته شده است. بنابراین محاسبه ساختار نو
فونون را می¬توان به عنوان کوانتوم امواج کشسانی (مکانیکی) حاصل از ارتعاشات اتم¬¬ها در جامدات تعریف کرد. به طور مشابه می¬توان فونون را به عنوان بسته موج متحرک در نظر گرفت که دارای خصوصیاتی مشابه یک فوتون (یعنی کوانتوم نوسانات الکترومغناطیسی) است. اندرکنش-های مرتبط با فونون¬ها نقش م
دستگاههای فوتوولتائیک انعطافپذیر به دلیل وزن کم، مقاومت در برابر تغییر شکلهای پیچیده، قابل اجرا بودن در سطوح منحنی، سازگاری با تولید رول به رول و سهولت انبارداری و حملو نقل و همچنین کاربردهای بالقوه در صنعت الکترونیک، منسوجات هوشمند، خودروهای الکتریکی و صنعت هوافضا، توجه زیاد
در این مقاله، با استفاده از تابع تصحیح میدان موضعی هابارد و همچنین تابع ساختار، به بررسی اثر برهمکنش های کوتاه برد الکترونی و پهنای چاه کوانتومی بر رفتار تابع دی الکتریک سیستم گاز الکترون دوبعدی در حالات دمای صفر و دمای محدود می پردازیم. برای چگالی های الکترونی پائین تقریب فاز تص
پروسکایت SrSnO3یک ماده دی الکتریک مهم می باشد و به دلیل داشتن ترکیب غیر متداولی از خواص مغناطیسی، الکترونیکی توجه دانشمندان مواد و فیزیک را به خود جلب کرده است. نانوساختارهای استانات استرانسیم با توجه به حوزه وسیع کاربردیشان، از جمله مهمترین مواد با ساختار پروسکایت محسوب میشوند