پایان‌نامه

تحلیل و مدل سازی رفتارآشکارساز نوری بهمنی به روش ماتریس انتقالی

دانلود متن کاملرایگان، با حساب کاربری؛ ثبت نام با گوگل چند ثانیه است

چکیده

به دلیل رخ دادن سازوکار یونیزاسیون برخوردی در آشکارساز نوری بهمنی، این افزاره دارای بهره جریان است. وجود بهره باعث می شود تا آشکارسازی و تقویت جریان همراه با یکدیگر انجام شود و بنابراین نیازی به مدارهای اضافی مربوط به تقویت کنندگی نباشد. یونیزاسیون برخوردی سازوکاری مهم در آشکارساز نوری بهمنی است. در نتیجه، برای تحلیل رفتار آشکارساز نوری بهمنی باید روشی مناسب انتخاب کنیم تا بتوان چنین پدیده ای را شبیه سازی کرد. با توجه به گستردگی سازوکار یونیزاسیون برخوردی در طول ناحیه تکثیر، از یک مدل گسترده استفاده کرده ایم. در واقع یک مدل توزیع شده را ارائه داده ایم که ارتباط بخش های مختلف ناحیه تکثیر را برقرار کند. در این طرح از روش ماتریس انتقالی استفاده شده است؛ ایده ای است که برای اولین بار مطرح می شود. در ابتدا ساختار این آشکارساز و عملکرد آن بررسی می شود. به دلیل وابستگی نویز به جریان نوری افزاره، به شبیه سازی آشکارساز نوری بهمنی پین پرداخته می شود. بدین منظور معادلات نرخ حامل در نواحی مختلف تعیین شده و سپس این معادلات مدل سازی و شبیه سازی شده اند. در ادامه، شبیه سازی نویز ضربه ای و جریان تاریک این آشکارساز آورده شده است. تحلیل و مدل سازی آشکارساز نوری بهمنی به روش ماتریس انتقالی، با نرم افزار مطلب انجام و در نهایت با توجه به نتایج حاصل از شبیه سازی تطابق خوبی با داده های عملی و نتایج دیگران حاصل شده است. در حقیقت، این مدل سازی با استفاده از روش ماتریس انتقالی می تواند به صورت موثری رفتار افزاره را شبیه سازی کند و با ارائه تصویری میکروسکوپی از حرکت حامل ها، امکان بررسی مشخصات خروجی آشکارساز با تغییر ابعاد و پارامترهای آن را میسر سازد.

اساتید راهنما و مشاور

سعید علیایی، محمد سروش

پایان‌نامه‌های مشابه

  • محاسبه بهره آشکارساز نوری بهمنی با استفاده از روش ماتریس انتقالی

    پایان‌نامه۲۰۱۳وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهید چمران اهواز - دانشکده مهندسیحمید کریمی

    در این پژوهش، با استفاده از آهنگ حامل های الکتریکی در ناحیه تکثیر به شبیه سازی جریان نوری و بهره آشکارساز نوری بهمنی پرداخته شده است. با در نظر گرفتن سازوکارهای مهمی مانند جذب نور، بازترکیب، یونیزاسیون برخوردی و رانش الکتریکی برای هر سلول مکانی یک ماتریس 2×2 تعریف می شود که حاصل

  • تحلیل و شبیه سازی آشکارساز نوری بهمنی pin با استفاده از مدل رانش- نفوذ

    پایان‌نامه۲۰۱۳وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهید چمران اهواز - دانشکده برق و الکترونیکفاطمه روستایی

    در این پژوهش، یک مدل رانش- نفوذ ارائه شده است که می تواند برخی پارامترهای آشکارساز نوری بهمنی مانند جریان تاریک، جریان نوری و بهره را با دقت قابل قبولی محاسبه کند. در این مدل دسته معادله های پواسون، چگالی حامل الکتریکی و پیوستگی حامل الکتریکی به صورت همزمان حل شده است. در نظر گرف

  • تحلیل و طراحی آشکارساز نوری بهمنی (apd) به روش مونت کارلو

    پایان‌نامه۲۰۰۹وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تربیت مدرسمحمد سروش

    در این رساله، برای محاسبه بهره و ضریب نویز اضافی افزاره آشکارساز نوری بهمنی مدلی ارائه کرده ایم که تابع توزیع طول یونیزاسیون برخوردی در ناحیه تکثیر همگون و ناهمگون را با دو بخش خطی و نمایی تقریب می زند. بر اساس این مدل، چگونگی توزیع طول یونیزاسیون برخوردی به ازای مقدارهای مختلف ش

  • مدل سازی مداری نویز در آشکارسازهای نوری بهمنی

    پایان‌نامه۲۰۱۲وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شاهد - دانشکده فنیمحمد حسین اکبری

    این پایان نامه ابتدا به بررسی مدلهای مداری ای می پردازد، که به منظور پیش بینی رفتار آشکارسازهای نوری ارائه شده اند. سپس با بررسی نقاط ضعف و ویژگهای آنها، یک مدل مداری پیشنهاد می کند که قادر است، جریان خروجی را تحت تاثیر اثر نویز موجود در قطعه، برای آشکارسازهای نوری نازک بخوبی پیش

  • مدل سازی و تحلیل فرایند غیرخطی پارامتریک نوری در تشدیدکننده های ریزحلقه

    پایان‌نامه۲۰۱۱وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تربیت مدرسمجتبی گندم کار

    ریزحلقه ساختاری است که به دلیل خاصیت تشدید کنندگی و ابعاد کوچکش کاربرد فراوانی در الکترونیک نوری پیدا کرده است. به دلیل افزایش چگالی توان در اثر تشدید در یک ریزحلقه برخی از رفتارهای غیرخطی نوری را می توان تقویت کرد. در صورت استفاده از مواد غیرخطی مناسب می توان در فاصله ای به مرات

  • مدل سازی، تحلیل و شبیه سازی خواص نوری شبه کریستال های فوتونیکی

    پایان‌نامه۲۰۱۰وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریزسامیه مطلوب

    شبه کریستال های فوتونیکی با توجه به ویژگی های برجسته ای که در زمینه کنترل نور داشته اند، در چند دهه اخیر مورد توجه محققان در رشته فیزیک و مهندسی فوتونیک، بوده است. این ساختارها ویژگی ها و خواص مشابه و البته بهتری از کریستال های فوتونیکی به نمایش می گذارند، که ناشی از درجه آزادی ب

اسناد مشابه