پایان‌نامه

رسانندگی ناشی از تونل زنی در اتصالات پایه گرافن تحت کشش

دانلود متن کاملرایگان، با حساب کاربری؛ ثبت نام با گوگل چند ثانیه است

چکیده

در این تحقیق ما براساس نطریه ی btk ، رسانندگی ناشی از تونل زنی را در پیوندهای گرافن تحت کشش تک محوری مورد بررسی قرار می دهیم. با استفاده از مدل تنگ بست با تحت کشش قرار دادن صفحه گرافن حامل های بار در آن به صورت فرمیون های دیراک بدون جرم و نامتقارن ظاهر می شوند. درنتیجه سرعت حامل های بار به جهت حرکت آنها بستگی پیدا می کند. از طریق نشست ابررسانا بر روی گرافن تحت کشش تک محوری، گرافن با جفت های کوپر بدست آمده از الکترون های نامتقارن ویل- دیراک یعنی فرمیون های بدون جرم، به گرافن ابررسانا تبدیل می شود. سرعت نامتقارن بالا، ممکن است به وسیله ی کشش در جهت زیگزاگ نزدیک نقطه ی گذار بین گرافن گاف دار و گرافن بدون گاف ایجاد شود. در سرعت نامتقارن بالا، بازتاب آندریف تا حد زیادی به جهت وابسته است و جریان عمود بر جهت کشش می تواند به راحتی و به صورتی که انگار هیچ مانعی ( صفحه عایق) وجود ندارد از میان پیوند شارش یابد. نیز جریان موازی با جهت کشش به صورت ناهنجار به عنوان تابعی از ولتاژ مدخل و با فرکانس بالا نوسان می کند.

اساتید راهنما و مشاور

حسن صدقی، هادی گودرزی

پایان‌نامه‌های مشابه

  • جریان جوزفسون در اتصالات پایه گرافن تحت کشش

    پایان‌نامه۲۰۱۳وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه ارومیه - دانشکده علومحبیبه کمالی پور

    گرافن بدلیل داشتن ویژگی های منحصر بفرد در سالهای اخیر موضوع مهم تحقیقات قرار گرفته است. چنین خصوصیاتی این ماده را بعنوان نامزدی برای کاربرد در کارهای آتی در الکترونیک مطرح می کند. گرافن اولین مثال از یک بلور دو بعدی واقعی است و این ماده پل جدیدی بین فیزیک ماده چگال و نظریه میدان

  • تونل زنی ناشی از انعکاس مجازی آندریف در ساختار گرافین تحت کشش

    پایان‌نامه۲۰۱۴وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه ارومیه - دانشکده علومفرزانه میرمعروفی

    گرافین سختترین ماده ای است که تاکنون بشر بدان دست یافته است و از جمله خصوصیات الاستیکی، اپتیکی و الکترونیکی آن به طور قوی با یک کشش تک محوری کاهش می یابد. خصوصیات الکترونیکی گرافین بوسیله کشش به ارتباط بین خصوصیات مکانیکی و الکترونیکی منجر می شود. گرافین تحت کشش در جهت زیگزاگ گاف

اسناد مشابه

  • تونل زنی شبه ذرات در گرافن تحت تنش

    مقاله۲۰۲۵Modern Research Physicsجلیل ناجی، افسانه حاتمی نیا، خدیجه قاسمیان

    گرافن یک نیمه هادی بدون گاف انرژی است که برای استفاده از ان در کاربردهایی نظیر نانو الکترونیکی ایجاد یک شکاف محدود در نوار انرژی و در نقاط دیراک لازم است. در اینجا با استفاده از مدل تنگ بست قوی تایر کرنش را در دو جهت زیگزاگ و دسته صندلی به بررسی انتقال انتقال شبه الکتونهای جرم دا