اثر برهمکنش الکترون-فونون به صورت مدل هولشتاین روی خواص ترابری نانولوله های کربن زیگزاگ
دانلود متن کاملرایگان، با حساب کاربری؛ ثبت نام با گوگل چند ثانیه است
چکیده
هدف از این تحقیق بررسی رفتار دمایی ضریب هدایت حرارتی نانولوله های تک جداره زیگزاگ با تغییرات دما وشعاع نانولوله و شدت برهمکنش الکترون- فونون می باشد.جهت بررسی دینامیک الکترون در بلور از مدل هولشتاین که معادل برهمکنش الکترون- فونون اپتیکی، انرژی جنبشی فونون ها و مدل تنگ بست است استفاده می شود. برای یافتن ضریب هدایت حرارتی از روش تابع گرین و نظریه پاسخ خطی کوبو و از تقریب دوم اختلال برای محاسبه خودانرژی استفاده شده است. در این پایان نامه همچنین چگالی حالت برهمکنشی برای نانولوله های زیگزاگ و آرمچیر بررسی می شود.