اثر تزریق ناخالصی مغناطیسی و نقص بر خواص الکترونی و مغناطیسی نانولوله های نیترید بور (bn) تک دیواره و دو دیواره
چکیده
در این پایان نامه به بررسی خواص الکترونی و مغناطیسی نانو لوله های نیترید بور، پرداخته ایم. که در ذیل به طور مختصر به نتایج بدست آمده می پردازیم. - نانو لوله های تک دیواره در نانو لوله ها (0, 6) ، (0, 12) ، (0, 14) ، (0, 18) مشاهده شد که با افزایش قطر نانو لوله ها، گاف انرژی نیز بزرگتر شد و در نانو لوله هایی با قطر بیشتر این تغییر گاف کمتر مشاهده شد. که علت آن کم شدن خمش نانو لوله است. - نانو لوله های دو دیواره نانو لوله ها ی (0, 6) را درون نانولوله (0, 12) ، (0, 14) ، (0, 18) ثابت قرار دادیم. در اینجا به این نتیجه رسیدیم که با افزایش فاصله بین دیواره داخلی و خارجی گاف انرژی بیشتر می شود ولی برای نانولوله ی با قطر بیشتر این تغییر محسوس نیست. همچنین نانولوله دو دیواره گاف کمتری نسبت به نانولوله تک دیواره دارند. چون بر هم کنش بین دو دیواره از مقدار گاف انرژی کم می کند. - نقص در نانولوله ها اثر نقص جفت 7-5 را بر خواص الکترونی در نانولوله های تک دیواره و دو دیواره مورد بررسی قرار دادیم. الف- نانولوله تک دیواره در این مرحله نانولوله (0, 6) و (0, 12) را همراه با نقص جفت 7-5 با نانولوله های بدون نقص مقایسه کردیم نتایج بدست آمده، نشان می دهد که نقص جفت 7-5، گاف انرژی را کمتر می کند و یک پیک نزدیک نوار رسانش در گاف انرژی ایجاد می کند و نانولوله را به نیمه رسانای نوع n تبدیل می کند. همچنین با افزایش قطر نانولوله گاف انرژی نیز کوچکتر می شود. ب- نانولوله های دو دیواره برای بررسی اثر نقص جفت 7-5 بر خواص الکترونی در این مرحله، یک بار نقص را در دیواره داخلی و بار دیگر در دیواره خارجی قرار دادیم. از بررسی منحنی چگالی حالت بدست آمد که، هنگامی نقص در لایه داخلی است، گاف انرژی کمتری است. و نتیجه مهم دیگر این است که با بدست آوردن انرژی تشکیل مشاهده شد که هنگامی نقص در لایه بیرونی است، سیستم پایدارتر است. - اثر تزریق ناخالص بر خواص مغناطیسی و الکترونی نانولوله (0, 6) همراه با نقص 7-5 در مرحله پایانی یک اتم fe را به جای اتم n در نانولوله (0, 6) همراه با نقص جفت 7-5 قرار دادیم. از مشاهده منحنی چگالی حالت بدست می آید که گاف انرژی نسبت به موقعی که ناخالص در سیستم نیست، کمتر می شود و برای ممنتوم مغناطیسی نیز مقدار قابل توجهی بدست آمد.