بررسی ترابرد الکترونی برای مولکول فتالوسیانین در حضور و غیاب اتم مس
چکیده
فتالوسیانین مس یکی از ترکیبات مهم خانوادهی فتالوسیانینهای فلزی است که کاربرد فراوانی درصنعتهای نساجی و نقاشی به عنوان رنگدانه و همچنین الکترونیک و اپتوالکترونیک به عنوان لایهی بافر در دیودهای آلی نورگسیل، ترانزیستورهای اثر میدانی آلی،حسگرهای نوری، شیمیایی و غیره دارد. با وجود انجام مطالعات تجربی و نظری روی فتالوسیانین مس، هنوز هم بسیاری از رفتارها و خواص این ماده قابل مطالعه و تحقیق است. در این پایان‌نامه تلاش شده است تا ساختار الکترونی یک مولکول فتالوسیانین مس به کمک بستهی نرمافزاری گاوسین در چهارچوب نظریهی تابعی چگالی مطالعه شود. ابتدا فواصل و زوایای بهینه بین اتم‌های تشکیل دهندهی سامانه، ترازهای انرژی و چگالی حالتها برای این مولکول بهدست آمد. سپس ترابرد الکترونی سامانههای تک و چند مولکولی فتالوسیانین مس متصل به دو هادی نیمبینهایت فلزی در چهارچوب بستگی قوی و تقریب نزدیکترین همسایهها با به کار گیری روش تابع گرین محاسبه شد. نتایج نشان میدهند که در بیشتر نقاط پنجرهی مجاز انرژی هادیها، سامانهی چند مولکولی فتالوسیانین مس رسانش بهتری نسبت به دستگاه تک مولکولی فتالوسیانین دارند. همچنین مکان اتصال هادی خروجی به سامانه رسانش را به شدت تحت تاًثیر قرار میدهد. با افزایش طول زنجیرههای چند مولکولی فتالوسیانین مس، به دلیل افزایش حلقهها در مسیر الکترون ورودی، ترابرد الکترونی کاهش مییابد. چگونگی چینش مولکولها در زنجیرهی چند مولکولی در ترابرد الکترونی سامانه بسیار موثر است. گافهایی در سامانههای یک تا چهار مولکولی مشاهده میشود که برای الیگومرهای فتالوسیانین مس نیز پیش بینی میشوند.