پایان‌نامه

بررسی اثر هارتمن در بلورهای فوتونی حاوی شبه مواد

چکیده

در سال 1962 هارتمن در راستای مطالعات خود عبارتی تحلیلی را برای تاخیر زمن (تاخیر گروه یا زمان فازی) در تونل زنی از مانع بدست آورد این زمان عبور دارای مقدار محدود و کوتاهی بود که متناسب با فاصله ی انتشار اشباع می شد. به این معنی که برای موانع به اندازه ی کافی ضخیم تاخیر زمانی مستقل از ضخامت مانع می شود. این اثر که بعدها اثر هارتمن نامیده شد به سرعت های فرانوری در داخل موانع اشاره دارد و با مشاهدات انجام شده در محیط های مختلف مورد تایید قرار گرفته است. دراین پایان نامه اثر هارتمن در چندین ساخار از بلورهای فوتونی متشکل از مواد با ضریب شکست مثبت، منفی و بلورهای فوتونی متشکل از مواد تک منفی مورد مطالعه قرار گرفته است. در این بررسی با استفادهاز روش ماتریس انتقال و روش فا ز ایستا تحولات میدان الکترومغناطیسی وتاخیر گروه یا زمان فازی پالس عبوری از ساختار بررسی شده است، نشان داده شده که اثر هارتمن می تواند منتناسب با ساختارهای ارایه شده دارای مقادیر مثبت و منفی باشد در بلورهای فوتونی یک بعدی حاوی مواد دی الکتریک معمولی اثرهارتمن مثبت است. اما در بلورهای فوتونی حاوی مواد با ضریب شکست منفی اثر هارتمن منفی است بعلاوه در بلورهای فوتونی متشکل از لایه های دارای ضریب شکست مثبت و منفی این اثر می تواند مثبت یا منفی باشد.

اساتید راهنما و مشاور

حبیب تجلی

پایان‌نامه‌های مشابه

  • فیلترهای چندکاناله با فاکتور کیفیت بالا در بلورهای فوتونی حاوی شبه مواد

    پایان‌نامه۲۰۱۲دانشگاه آزاد اسلامی - دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکزی - دانشکده علوم پایهال ناز زمانی

    اخیراً توجه زیادی به فیلترهای بلور فوتونی تنظیم پذیر در امر ارتباطات اپتیکی شده است. با توجه به کاربردهای وسیع این فیلترها، طرح های مختلفی جهت ساخت آنها ارائه شده است و از مواد مختلفی نظیر نیمه هادی ها و فرو الکتریک ها در ساخت آنها استفاده شده است. اما مهمترین مسأله در ساخت فیلتر

  • اثر تداخل کوانتومی بر طیف گسیل خودبخود و جذب و پاشندگی اتمهای شش ترازی تحت میدان در بلورهای فوتونی حاوی نقص

    پایان‌نامه۲۰۱۱وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز - دانشکده فیزیکسولماز نفیسا

    چکیده : آنچه بخوبی شناخته شده این است که گسیل خودبخود یک اتم نه تنها به خواص سیستم اتمی تحریک شده وابسته است بلکه به خواص محیط احاطه کننده اتم نیز وابسته می باشد. از نقطه نظر محیط احاطه کننده اتمها، ساختارهای گاف باند فوتونی (pbg) چگالی حالات متفاوتی نسبت به فضای آزاد از خود نشان

  • بررسی خواص بلورهای فوتونی پاشنده دو بعدی

    پایان‌نامه۲۰۱۰وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز - دانشکده فیزیکعلی اصغر صدقی

    بلورهای فوتونی ساختارهای متناوبی هستند که به منظور کنترل انتشار نور به طور مصنوعی طراحی شده اند. بسته به نوع مواد تشکیل دهنده بلورهای فوتونی به دو دسته تقسیم می شوند: (1) بلورهای فوتونی دی الکتریک (2) بلورهای فوتونی پاشنده مانند بلورهای فوتونی فلزی، نیمه هادی و مغناطیسی. در یک بل

  • تحلیل تأثیر نیروی مکانیکی خارجی بر روی ضریب کیفیت کاواک طراحی شده با استفاده از بلورهای فوتونی

    پایان‌نامه۲۰۱۲وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز - پژوهشکده فیزیکمحمد شکرنیا

    بلورهای فوتونی ساختارهای دی الکتریک متناوب هستند که بطور مصنوعی ساخته می شوند و در تشابه با نیمه هادی ها دارای یک ناحیه ی ممنوعه ی فرکانسی می باشند. انتشار امواج در این ناحیه که به گاف نواری فوتونی معروف است ممنوع می باشد. همانطور که در بلورهای معمولی، تناوب پتانسیل شبکه باعث ایج

  • نقص نقطه ای ابررسانا در بلورهای فوتونی دو بعدی

    پایان‌نامه۲۰۱۲وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز - دانشکده فیزیکرسول هاشمی

    بلورهای فوتونی با شکاف نواری فوتونی، موادی هستند که دارای ساختار متناوب هستند. مطالعه ساختارهای این مواد توجه خیلی زیادی را به هر دو حوزه تئوری و تجربی به خاطر پتانسیل کاربردیشان در اپتوالکترونیک و همچنین توانایی کاربردی این مواد در ارتباطات از راه دور، شامل موجبرها، فیلترهای نور

  • مطالعه خواص گاف نواری بلورهای فوتونی شامل لایه نقص ابررسانا

    پایان‌نامه۲۰۱۰دانشگاه تربیت معلم - تبریز - پژوهشکده علوم پایه کاربردیحسین مهدیزاده

    موقع مطالعه در مورد مواد نوری متداول دو نوع ناحیه پراکندگی وجود دارد. در یک ناحیه محیط یکنواخت که تغییرات در ویژگی ماده آن در مقایسه با طول موج نور تابشی خیلی کوچک است(شکل 1-الف)[2]. در این محیط که از ذرات پراکننده مجزا مانند اتم ها ساخته شده، یک پاسخ نوری متوسط توسط اتمها ایجاد

اسناد مشابه