بررسی و بهینه سازی خواص الکتریکی و نانوساختارانه لایه نانومتری تماس اهمی بر زیر لایه n-gaas به کمک پارامترهای لایه نشانی برای اداوات الکترونیک نوری
چکیده
بر اساس مشخصه های i-v و بررسی های ریزساختار های سطح نمونه ها معلوم شد که نمونه لایه نشانی شده با دمای زیرلایه حدود 180 درجه سانتیگراد دارای کمترین مقاومت ویژه تماس و زبری سطح است. نمونه های با دمای زیرلایه کمتر از 130 درجه سانتیگراد دارای ریخت شناسی ضعیف و سطح غیریکنواختی بودند. همچنین برای نمونه های با دمای لایه نشانی بیشتر از 230 درجه سانتیگراد مقاومت ویژه تماس، سطوحی با ساختار سوزنی و زبری سطح بالاتری نسبت به دیگر نمونه ها بدست آمد.
