تحلیل و طراحی تقویت‌کننده کم نویز فرا پهن‌باند بدون سلف بر روی تراشه با استفاده از تکنیک حذف نویز
چکیده
تقویتکنندههای کم نویز یکی از اجزای اساسی در گیرندههای مخابراتی بیسیم هستند، زیرا عملکرد آنها کارآیی سیستم را از نقطه نظر نویز مشخص مینماید. تطبیق امپدانس مناسب در ورودی و خروجی تقویت‌کننده کم نویز، عدد نویز پایین، خطسانی خوب و نیز بهره بالا به همراه مصرف توان پایین از ملاحظات مهم در طراحی تقویتکنندههای کم نویز پهن‌باند هستند. ساختارهای مختلف تقویت‌کننده کم نویز به همراه تکنیکهای به کار رفته به منظور بهبود عملکرد آنها به طور کامل ارائه شده است. استفاده از سلف در طراحی تقویتکنندههای کم نویز باعث افزایش سطح اشغالی تراشه و نیز افزایش هزینه ساخت مدار می‌شود، به همین علت ساختارهای بدون سلف پیشنهاد شده است. این ساختارها سطح بسیار کمتری از تراشه را اشغال مینمایند و هزینه ساخت آنها به مراتب پایینتر است ولی چالشهایی را در طراحی آنها خواهیم داشت که در این پروژه روشهای ارائه شده به منظور بر طرف نمودن آنها را بررسی کردیم. مهمترین مسئله در تقویتکنندههای کم نویز بدون سلف عدد نویز بالای آنها است که برای کاهش آن از تکنیک حذف نویز استفاده می‌شود. در این پایان‌نامه پروسه کامل تحلیل، طراحی و شبیهسازی یک تقویت‌کننده کم نویز فراپهنباند بدون استفاده از سلف بر روی تراشه و با استفاده از تکنیک حذف نویز در تکنولوژی cmos 0.18?m ارائه شده است. با طراحی صحیح و استفاده اصولی از تکنیک حذف نویز، عدد نویز مدار در یک محدوده فرکانسی وسیع به مقدار زیادی کاهش یافته است. نتایج شبیهسازی نشان میدهد که تقویت‌کننده کم نویز پیشنهادی در مقایسه با طرحهای بدون سلف ارائه شده قبلی، عملکرد بسیار بهتری دارد. ضریب شایستگی بالای مدار گواه این مطلب است.