ترابرد اسپینی در نانونوارهای گرافینی با رابط های مغناطیده
چکیده
چکیده در این پایان نامه، ترابرد الکترونی و مقاومت مغناطیسی در یک اتصال مبتنی بر گرافین فرومغناطیس/ نرمال/ فرومغناطیس بررسی می شود. برای محاسبه خواص ترابردی، به محاسبه ضریب عبور نیاز داریم. برای محاسبه ضریب عبور از روش تابع گرین استفاده می کنیم. برای به دست آوردن تابع گرین با استفاده از توابع خود انرژی رابط ها، اثر رابط ها را به هامیلتونی وارد کرده و با استفاده از روش بازگشتی توابع گرین سطحی رابط های نیمه نامتناهی را به دست می آوریم. نتایج نشان می دهند که در نانو نوار گرافینی با لبه زیگزاگ برای حالتی که مغناطیدگی رابط ها موازی است، رسانندگی همیشه بزرگ تر از e^2?h است ولی در حالتی که مغناطیدگی رابط ها پاد موازی است، رسانندگی صفر می شود. بنابراین، زمانی که انرژی فرمی حوالی نقطه دیراک قرار گیرد، یک پله مقاومت مغناطیسی با مقدار 100% تولید می شود. علاوه بر این، انتخاب نوارهای گرافینی باریک تر می تواند پله های مقاومت مغناطیسی 100% راپهن تر کند و تغییر طول ناحیه گرافینی مرکزی بر پله مقاومت مغناطیسی اثری ندارد. برای نانونوار گرافینی با لبه دسته مبلی، در هر دو حالت مغناطیدگی های موازی و پادموازی مقاومت مغناطیسی همیشه کوچک است. بنابراین، برای ساخت نمونه های شیر اسپینی مبتنی بر گرافین بهتر است از نوار گرافینی با لبه زیگزاگ استفاده کنیم. همچنین حضور ناخالصی نقطه ای و جای خالی اتم در لبه نانونوار زیگزاگ را بررسی کرده و دریافتیم اگر این نقص های لبه در هر دو لبه زیگزاگ وارد شود، پله مقاومت مغناطیسی 100% تشکیل خواهد شد