مشخصه یابی لایه های نانومتری اکسید ایندیوم قلع به روش بازتاب سنجی اشعه ایکس (xrr)
چکیده
در این تحقیق، لایه های نازک اکسید ایندیم قلع (ito) به روش تبخیر با پرتو الکترونی واکنش پذیر بر روی زیرلایه های شیشه ای لایه نشانی شده اند. لایه های نمونه با ضخامت های اسمی 50، 100، 170 و 250 نانومتر با نرخ انباشت ثابت nm/s 10/0 تهیه شدند. دمای زیرلایه ها در خلال لایه نشانی در دمای 400 درجه سانتیگراد ثابت نگه داشته شد. از تکنیک بازتاب سنجی اشعه ایکس (xrr) با زاویه نور خراشان، برای مشخصه یابی لایه های نازک ito استفاده شد. آنالیز داده ها با استفاده از نرم افزارهای matlab و genx و xpowder انجام شد.سپس ضخامت، چگالی الکترونی متوسط و ناهمواری سطح لایه های نازک را به دست آوردیم. همچنین طیف پراش پرتو ایکس (xrd) از لایه ها انجام گرفت و ساختار بلوری لایه ها نیز مورد بررسی قرار گرفت.