بررسی اثر غلظت ایندیوم بر روی طیف تابشی ناشی از چاه کوانتومی نانولایه های ingan/gan
چکیده
نیمه رساناهای مرکب که ازعناصر ستونهای مختلف جدول تناوبی بدست میآیند (شامل ترکیبات iii-v، ii-vi, iv-vi و iv-iv)دارای خواص مطلوبی هستند. یکی از ترکیبات گروه 3و5،gan است که پهنای باند آن 4/3 الکترون- ولت است که باعث میشوداین ماده خصوصیات خاصی برای کاربردهایی دراپتوالکترونیک وابزارهایی باتوان و فرکانس بالا داشته باشد.از طرفی نیتریدهای گروه 3، مواد بسیار مهمی برای کاربرد در اپتوالکترونیک هستند. این نیتریدها، موادی با باندگپ مستقیم هستند که می توانند به راحتی نور را منتشر کنند. یکی ازاین نیتریدهای گروه3، inganاست که ترکیبی ازinn و gan میباشدودارای ضریب جذب بالایی است. باند گپهای آن میتوانند توسط تغییر مقدار ایندیوم در آلیاژ، تنظیم شوند، که این موارد در فصلهای 1و 2بررسی شده است.در فصل 3 کمی در مورد مفهوم پیزوالکتریک و اثر استارک کوانتومی توضیح می دهیم و سپس درفصل 4 به بررسی اثر غلظت ایندیوم بر روی طول موج، تابع همپوشانی ، اثر پیزوالکتریک،pl و el می پردازیم.