شبیه سازی فرآیند ساخت ترانزیستور vdmos و بهینه سازی آن به منظور افزایش جریان نقطه کار
چکیده
کاربردهای فرکانس رادیویی توان بالا خیلی مهم هستند، زیرا تقاضا برای بازاربی سیم درحال رشــد می بـــاشد. ترانزیستورهای اثر میدان(نیمه هادی- اکسید- فلز)mosfet به دلیل سرعت سوئیچینگ بالا، در سیستم های توان بالا به کار رفته اند. توجه ی اولیه ی این پایان نامه کار روی توسعه، ساخت و توصیف مشخصات ترانزیستورهای توان بالا vertical-drain lateral diffused (vdmos) خواهد بود. چندین نوع از قطعات توان بــالا همچنین برای مقایسه بــا ساختار vdmos معرفی می شــــوند. گام هــای فرآیند برای ساخت یک ساختار ترانزیستور vdmos توسط نرم افزار شبیه سازی silvaco athena معرفی می گردد. در ادامه پارامترهای فرایند آغازی بادقت تنظیم می شود تا مشخصات هدف (ولتاژآستانه ، ولتاژ شکست، ضخامت اکسید گیت و...) به دست آید. بعد از اینکه ساخت قطعه در فصل دوم تمام شد. در فصل سوم به بررسی تأثیرات پارامترهای ساخت افزاره بر روی جریان نقطه کار و ارائه ی روش های پیشنهادی جهت افزایش آن تحت شرایط خاصی می پردازیم. فصل اول شامل توصیف ساختار فیزیکی و مراحل ساخت ترانزیستور vdmos است که در آن به بررسی خواص الکتریکی قطعه می-پردازیم.
