در این پژوهش از نانو نوار آرمچیر به عنوان پایه در سیستم درین + کانال + سورس استفاده کرده ایم، وبا اعمال ولتاژ در پروفایل های متفاوت و با استفاده از روش گرین غیرتعادلی، چگالی حالات وجریان عبوری از کانال را به دست آورده ایم. و در نهایت با استفاده از تونل زنی تشدیدی یک سیستم به عنوان ترانزیستور طراحی کرده ایم
در این پایان نامه، پس از توصیف نظری ترابرد الکترونی در نانونوارهای گرافینی، اثر کرنش و میدان مغناطیسی را بر ویژگی های ترابرد الکترونی نانونوارهای گرافینی ابرشبکه با لبه ی زیگزاگ و دسته صندلی، در مدل بستگی قوی و رهیافت تابع گرین بررسی خواهیم کرد. اثر کرنش تحت زوایای گوناگون و همچن
گرافین آرایش دو بعدی از اتمهای کربن است که در سال 2004 کشف شده و ویژگیهای متفاوت از فلز و نیمه رسانا دارد. در واقع خواهیم دید رابط? پاشندگی برانگیختگی های با انرژی پایین در آن خطی و شبه نسبیتی است. این امر به مشاهد? خواص الکترونی بسیار عجیب – از اثر کوانتومی غیر عادی هال تا نبود
چکیده گرافن و نوارهای گرافن موادی با ویژگی های منحصر بفرد هستند که بعنوان لبه های تکنولوژی نانو شناخته می شوند و در سال های اخیر توجه زیادی را چه در زمینه تئوری و چه در زمینه تجربی به خود جلب کرده اند. از برجسته ترین خواص این نانو ساختارها، رسانش الکتریکی در آنها می باشد که آنها
گرافین دولایه هم مانند تک لایه یک نیمرسانای بدون گاف است، اما مطالعات توری و تجربی اخیر نشان داده اند که می توان گاف نواری قابل توجهی را با کاهش دادن تقارن سیستم با استفاده از یک میدان الکتریکی عمود بر لایه ها به وجود آورد. بنابراین ماده ای با گاف نواری قابل کنترل داریم که استفاد
یکی از عواملی که مانع کاربرد وسیع نانو¬نوارهای سیلیسیم کاربید در صنعت الکترونیک می¬شود. گاف انرژی نسبتا بزرگ در آن است. تلاش¬های بسیاری برای کاهش این گاف انجام گرفته که مهم¬ترین آن¬ها عامل¬دار کردن این نانو¬نوارها به وسیله گروه¬های عاملی مختلف است. عامل¬دار کردن مناسب و سنجیده نا
. در اینجا به بررسی خواص الکتریکی نانولوله های کربنی زیگزاگ که به عنوان یک کانال بین چشمه و دررو قرار داده شده پرداختیم و نحوه ی توزیع جریان در ترانزیستور های اثر میدانی را در شرایط مختلف بررسی کرده ایم. از آنجایی که سرعت خاموش و روشن شدن ترانزیستور برای ما در قطعات الکترونیکی و
در این مقاله، خواص الکترونی نانونوارهای گرافن لبه دسته مبلی ناقص شده با اشکال مختلفی از پادنقطههای کوانتومی مورد مطالعه قرار گرفته است. نقص نانونوارها با مدلهای هندسی خطی، مورب، مثلث، شش ضلعی و لوزی متقارن و نامتقارن در وسط نانو نوارها و الکترودها صورت گرفته است. با ایجاد نواقص،
در این مقاله با استفاده از روش تابع گرین در رهیافت بستگی قوی و همچنین تقریب نزدیک‌ترین همسایۀ رسانش الکترونی نانو نوارهای گرافینی دستۀ صندلی و زیگزاگ متصل به دو هادی فلزی در حضور میدان مغناطیسی موضعی را بررسی میکنیم. نتایج نشان میدهد که وجود شار مغناطیسی در یک نانو نوار دسته صند
در این مقاله در رهیافت بستگی قوی و همچنین تقریب نزدیک ترین همسایه به بررسی رسانش الکترونی نانو نوارهای گرافین دسته صندلی و زیگزاگ تک نواری تخت و خمیده‌ی متصل به دو هادی فلزی در حضور و غیاب میدان مغناطیسی می پردازیم. برای مورد دسته صندلی با استفاده از روش باز بهنجارش، هامیلتونی هر
در این یادداشت اثر افزایش طول بر ترابرد الکترونی یک نانوروبان گرافینی دسته صندلی در دو حالت بدون ناخالصی و در حضور ناخالصی اتم نیتروژن مورد بررسی قرار داده شده است. سامانه مولکولی به دو الکترود یک بعدی نیمه بی نهایت متصل و از اثرات برهم کنش الکترون - الکترون چشم پوشی شده است. سام
در این یادداشت اثر افزایش طول بر ترابرد الکترونی یک نانوروبان گرافینی دسته صندلی در دو حالت بدون ناخالصی و در حضور ناخالصی اتم نیتروژن مورد بررسی قرار داده شده است. سامانه مولکولی به دو الکترود یک بعدی نیمه بی‌نهایت متصل و از اثرات برهم‌کنش الکترون - الکترون چشم پوشی شده است. سام
در این تحقیق، با استفاده از روش تابع گرین در رهیافت بستگی قوی به مطالعه رسانش الکتریکی یک نانو لوله نوعی تک دیواره با ساختار شبکه مربعی، به صورت تحلیلی پرداخته شده است. اثر عوامل مختلفی همچون حضور نقص های پیوندی متقارن، فاصله بین نقص های پیوندی و تغییرات انرژی های پرش نانو لوله ر