پایان‌نامه

تقویت کننده کم نویز 10.6-3.1 گیگاهرتز با فیدبک مقاومتی در تکنولوژی 0.18µm cmos

دانلود متن کاملرایگان، با حساب کاربری؛ ثبت نام با گوگل چند ثانیه است

چکیده

مطالب گفته شده در این پایان نامه بر مبنای طراحی، تحلیل و بهینه سازی تقویت کننده کم نویز cmos فراپهن باند است. چالش¬های جدی در پیاده سازی اجزای گیرنده فراپهن باند وجود دارد که یکی از مهم¬ترین آنها طراحی بلوک تقویت کننده کم نویز فراپهن باند استکه بلوکی کلیدی در بسیاری از گیرنده های رادیویی با کارایی بالاست زیرا عملکرد این قسمت به شدت حساسیت و گزینندگی سیستم را تحت تأثیر قرار می دهد و معمولاً اولین بلوک فعال گیرنده بعد از آنتن است. تقویت کننده کم نویز سیگنالهای ورودی را به گونه ای تقویت می کند که نویز تولید شده به وسیله بلوکهای بعدی کمترین تأثیر را بر روی نسبت سیگنال به نویز (snr) سیستم داشته باشد.بنابراین باید دارای پهنای باند بالا، بهره بالا و هموار، نویز فیگر پایین، تطبیق امپدانس مناسب و مصرف توان پایین باشد. با توجه به گسترش روزافزون سیستم¬های فراپهن باند، بهینه سازی سیستم¬های فوق امری ضروری می¬باشد. در این پایان نامه جزییات طراحی تقویت کننده کم نویز فرا پهن باند با فیدبک مقاومتی در فناوری µm cmos0.18 ارائه می¬شود. هدف ما طراحی تقویت کننده کم نویزی است که دارای عملکرد مطلوب بوده و مشخصات مد نظرمان شامل تطبیق امپدانس ورودی خوبdb10-?11s،نویز کمdb5nf?، بهره هموارdb10?21sومصرف توان پایین را تامین نماید.پارامتر¬های بیان شده بهم مربوط بوده و در طراحیtrade off بین آنها وجود دارد. رسیدن به بهره بهینه و منطقی در اولویت طراحی ما قرار دارد. هسته اصلی طراحی،یک تقویت کننده کم نویز سورس مشترک است که به علت تطبیق امپدانس خوب و نویز قابل قبول،یک توپولوژی مطرح در کاربردهای باند باریک است.مدار پیشنهادی تقویت کننده کم نویز ترکیبی از تکنیکهای فیدبک مقاومتیinductive shunt peakingو شبکه تطبیق نردبانیlc است که همزمان دارای مشخصه تطبیق امپدانس ورودی مطلوب در محدوده وسیع فرکانسی و نویز پایین و بهره هموار و بالا در محدوده فرکانسیghz10.6-3.1است.

اساتید راهنما و مشاور

ماهرخ مقصودی

پایان‌نامه‌های مشابه

اسناد مشابه

  • طراحی تقویت کننده توان دوبانده همزمان با سوئیچ فعال در 9/0/2/4 گیگاهرتز در پروسه 0.18μmrf cmos

    مقالهمهندسی برق دانشگاه تبریزجواد جاویدان, دانشگاه محقق اردبیلی سپیده فاضل, دانشگاه آزاد اسلامی واحد تبریز

    چکیده: در این مقاله، تقویت­ کننده توان دوبانده با توان خروجی بالا در پروسه استاندارد 0.18μm cmos برای کدخوان rfid ارائه شده است. تقویت ­کننده توان در دو باند فرکانسی ghz9/0 و ghz4/2 به طور همزمان کار می ­کند. برای رسیدن به قابلیت خط­ سانی و توان خروجی بالا از ترکیب کردن چندین تقو

  • طراحی پیش تقویت کننده rgc کم نویز مدار مجتمع cmos با پهنای باند ghz 20 و بهره dbω 60

    مقالهمهندسی برق دانشگاه تبریزپرویز امیری, دانشگاه شهید رجائی - دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر محمود صیفوری, دانشگاه شهید رجائی - دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر بابک آفرین, دانشگاه شهید رجائی - دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر آوا هدایتی پور

    در این مقاله، یک مدار تقویت کننده امپدانس انتقالی در تکنولوژی µm cmos18/0 برای استفاده در سیستم های مخابرات نوری ارائه می شود. در این مدار یک پیش تقویت کننده rgc در ورودی استفاده شده است. ساختار rgc در ورودی برای افزایش هدایت انتقالی و کاهش امپدانس ورودی به کار برده شده است ساختا

  • مروری بر انواع جاذب های رادار در کامپوزیت های پلیمری با تقویت کننده کربنی دربازه 12 الی 18 گیگاهرتز (Ku)

    یکی از مواد تعیین کننده برای بسیاری از شاخه های مدرن تکنولوژی، کربن می باشد. خواص چندگانۀ منحصر به فرد کربن سبب گسترش بیش از پیش استفاده از این ماده در بسیاری از کاربردها نظیر الکترونیک شده است. یکی از کاربردهای ویژۀ کربن در عرصه های نظامی، استفاده از این ماده در ساخت مواد جاذب ر