ساخت نمونه های حجمی و لایه نازک منگنایتσ la0.85ca0.15mno3-به کمک روش لیزرپالسی (pld) و بررسی خواص ساختاری، الکتریکی، مغناطیسی و نوری آنها
چکیده
چکیده در این پایان نامه خواص مغناطیسی، الکتریکی و ساختاری نمونه های حجمی بس بلور ولایه نازک ترکیب منگنایت la0.85ca0.15mno3 مورد بررسی قرار گرفته اند. نمونه اولیه به روش سل ژل تهیه شد و سپس نمونه ها در دو دمای 1150 و 1350 درجه سانتی گراد کلوخه سازی شدند. خواص مغناطیسی نمونه های کپه ای توسط پذیرفتاری مغناطیسی متناوب ( مولفه حقیقی و موهومی ) مورد بررسی قرار گرفت. پذیرفتاری مغناطیسی نمونه ها در بسامد و میدان های مختلف اندازه گیری شد. اندازه گیری ها نشان دادند که در نمونه های پخت شده در 1350 و همچنین در نمونه های حجمی پخت شده در 1150 یک افت وابسته به بسامد ( یک قله وابسته به بسامد در منحنی موهومی ) به وجود می آید. منشا این رفتار احتمالاً ناشی از شیشه اسپینی می باشد. لایه نشانی منگنایت la0.85ca0.15mno3 روی زیرلایه های si و laalo3توسط روش لیزر پالسی (pld) انجام شد. نتایج پراش اشعه ایکس نشان می دهند که لایه تک بلور با رشد جهت مند در راستای c روی زیرلایه شکل گرفته است. اثرات تابش لیزر و میدان مغناطیسی روی مقاومت الکتریکی لایه، لایه نشانی شده روی زیر لایه lao و نمونه کپه ای سایش یافته پخت شده در1350 درجه سانتی گراد مورد بررسی قرار گرفت. گرمای ایجاد شده توسط تابش باعث یک جابه جایی دمایی در کل نمودار می شود. همچنین در دماهای پایین یک کاهش مقاومت احتمالاً بدلیل اثر رسانایی نوری در نمونه ها دیده می شود. اعمال میدان در منگنایت ها سبب کاهش مقاومت الکتریکی می شود که این پدیده مغناطومقاومت بزرگ نامیده می شود. همچنین مقدار مغناطومقاومت به زاویه بین میدان مغناطیسی و جهت جریان الکتریکی بستگی دارد(مغناطومقاومت ناهمسانگرد).در این پروژه،مغناطومقاومت ناهمسانگرد در نمونه حجمی و لایه نازک در میدان koe10 مورد بررسی قرار گرفت. نتایج نشان می دهند که در نمونه حجمی در تمام بازه دمایی مقاومت حالت موازی ( ?_?) کمتر از مقاومت حالت عمود ( ?_?)است. امّا در نمونه لایه نازک در فاز عایق گونه مقاومت حالت موازی ( ?_?)کمتر از حالت عمود ( ?_?)است، امّا در فاز رساناگونه حالت?_?<?_?رخ می دهد .