پایان‌نامه

طراحی تقویت کننده توان کلاس e با شبکه تطبیق جدید

چکیده

رشد روز افزون فناوری بی سیم همراه و در خواست ها برای سیستم هایی با عمر باطری بیشتر، نیاز به توجه بیشتر به سوی طراحی هایی با مصرف توان کمتر را ایجاب می کند. در این بین تقویت کننده های توان به دلیل مصرف توان زیاد، نیاز به طراحی دقیقی دارند. تلاش های زیادی برای افزایش بازدهی تقویت کننده های توان چه در سطح مداری و چه در سطح سیستمی صورت گرفته است. در سطح مداری، یکی از پرکاربردترین روش ها استفاده از تقویت کننده های توان سوئیچ شونده، به ویژه تقویت کننده های کلاس e می باشد. در تقویت کننده ی کلاس e به دلیل بهره گیری از شرایط سوئیچ شوندگی نرم و عدم انطباق ولتاژ و جریان المان فعال، بازده 100% در تئوری قابل حصول است. البته، عوامل غیر ایده آل مربوط به المان فعال همچون مقاومت حالت روشن غیر صفر، زمان گذار روشن به خاموش غیر صفر و اندوکتانس پارازیتی، و همچنین ضریب کیفیت محدود المان های غیر فعال باعث تنزل بازدهی آنها می شوند. در نظر نگرفتن عوامل پارازیتیکی در طراحی تقویت کننده ی کلاس e می تواند به عملکرد بد تقویت کننده یا خرابی آن منجر شود. بنابراین نیاز به بررسی دقیق تأثیر چنین المان های داریم. توان خروجی و فرکانس کاری تقویت کننده های توان، همچنین، دو مشخصه ی اصلی از تقویت کننده های توان را شامل می شوند. برای حصول توان های بالا از تقویت کننده ی کلاس e، نیاز به استفاده از مقاومت های بار کوچک و یا ولتاژ تغذیه ی بالا می شود، که اولی باعث افزایش تلفات المان فعال و شبکه ی تطبیق خروجی و دومی باعث افزایش ولتاژ استرس بر روی المان فعال می شود. خازن خروجی ترانزیستورها عامل محدودیت فرکانس کاری تقویت کننده کلاس e در فرکانس های بالا می باشد که مقدار خازن بهینه موازی با این خازن قابل مقایسه می شود. در این تحقیق، شبکه بار جدیدی برای تقویت کننده ی کلاس e پیشنهاد شده است. این ساختار به تقویت کننده امکان استفاده از مقاومت بار و خازن موازی بزرگتر را می دهد و ظرفیت توان تقویت کننده را افزایش می دهد. افزایش مقاومت بار به افزایش بازدهی تقویت کننده کمک می کند و افزایش خازن موازی امکان افزایش فرکانس کاری برای یک المان فعال مشخص را فراهم می کند. همچنین، مقدار هارمونیک موجود روی مدار رزونانس کاهش یافته که امکان استفاده از ضریب کیفیتهای پایین تردر مقایسه با ساختار ابتدایی کلاسe را امکان پذیر می سازد. در این طراحی ابتدا شبیه سازی ها با استفاده از سلف های ایده آل و در ادامه شبیه سازی با استفاده از سلف های اسپایرال انجام و مقایسه شده است. مدار پیشنهادی، جهت کار در فرکانس 2.4ghz برای کاربردهای wlan که نیازهای استاندارد 802.11b ieee را تأمین می نماید، طراحی شده است. مدار پیشنهادی در فرکانس کاری 2.4ghz و به ازای ولتاژ تغذیه 1.8v ، قادر است بهره ای برابر با 23.2db و توان خروجی در حدود 230mw برای بار خروجی 50? فراهم نماید. همچنین بازده افزوده توان مدار و راندمان به ترتیب برابر با 84.3% و 80.4% می‎باشد.

اساتید راهنما و مشاور

هومن نبوتی

پایان‌نامه‌های مشابه

  • طراحی و بهینه سازی تقویت کننده توان کلاس e پهن یاند جهت استفاده برای شبکه های wlan

    پایان‌نامه۲۰۰۹وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - موسسه آموزش عالی غیرانتفاعی و غیردولتی سجاد مشهد - دانشکده برقمهدی اکبری نوقابی

    همان طور که می‎دانیم تقویت کننده‎های توان یک بخش ضروری و حیاتی در فرستنده‎های مخابراتی می‎باشند که وظیفه اصلی آنها تقویت سیگنال ارسالی به سطح مطلوبی از توان می‎باشد بطوریکه بوسیله گیرنده، سیگنال اصلی قابل آشکارسازی باشد. یکی از تکنولوژی‎های بسیار پر کاربرد در جهان امروز استفاده ا

  • طراحی و شبیه سازی یک تقویت کننده توان کلاس e با کنترل توان خروجی در تکنولوژی cmos برای کاربرد های باند ism

    پایان‌نامه۲۰۱۰وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه گیلان - دانشکده فنی و مهندسیرضا مشکین

    تقویت کننده توان فرکانس رادیویی به عنوان یکی از مهم ترین بلوک های سازنده فرستنده-گیرنده فرکانس رادیویی شناخته می شود و در این سیستم به عنوان بزرگترین مصرف کننده توان به حساب می آید. بنابراین تحقیقات نسبتاً جامعی به منظور دست یابی به یک تقویت کننده توان با راندمان بالا صورت پذیرفت

  • طراحی و بهینهسازی تقویت کننده توان کلاس e

    پایان‌نامه۲۰۱۲وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - موسسه آموزش عالی غیرانتفاعی و غیردولتی سجاد مشهد - دانشکده برق و الکترونیکمریم صابری سیاهکل

    افزایش بازده ی تقویت کننده ها قدرت سوئیچ شونده در سیستم های مخابراتی به دلیل توان مصرفی بالا توجه طراحان مدارات rfرا به خود جلب کرده است. این پایان نامه قصد طراحی یک تقویت کننده ی قدرت کلاس eکه از شرایط ولتاژ و مشتق ولتاژ سوئیچ شدن صفر به منظور اطمینان از سوئیچ شدن نرم ترانزیستور

  • طراحی و شبیه سازی تقویت کننده توان کلاس e

    پایان‌نامه۲۰۱۲وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه زنجان - دانشکده مهندسی برقوحید اله ویردی زاده

    از آنجایی که سیگنالهای با مدولاسیون دامنه بطور مستقیم نمی توانند به ورودی تقویت کننده های توان خطی اعمال شوند لذا از ساختار های خاص تقویت کننده توان سوئیچینگ برای جمع کردن دامنه و فاز سیگنال استفاده می شود. در سال 2010 میلادی روش جدیدی برای سیگنالهای با پوش متغیر توسط آقای دانیل

  • طراحی تقویت کننده توان cmos با راندمان بالا جهت استفاده در مخابرات بی سیم نسل چهارم

    پایان‌نامه۲۰۱۳وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تربیت مدرس - دانشکده مهندسی برق و کامپیوتررضا صادقپور

    این رساله به طراحی تقویت کننده توان با راندمان بالا برای نسل چهارم سیستم های مخابراتی می پردازد. بدین منظور از ساختار قطبی که متشکل از یک تقویت کننده فرکانس رادیویی جهت تقویت سیگنال فاز و یک تقویت کننده پوش جهت تقویت سیگنال دامنه می باشد استفاده شده است. تقویت کننده فاز پیشنهادی

  • مدل سازی و تحلیل غیرخطی با بهبود عملکرد تقویت کننده توان کلاس- ‏e

    پایان‌نامه۲۰۱۳وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه رازی - دانشکده فنی و مهندسیعلی لطفی

    همواره در تقویت کننده توان کلاس-‏e‏ با توپولوژی خازن موازی، اثرات خازن های خطی و غیر خطی ذاتی عنصر ‏سویچینگ به منظور مدلسازی مدار در شرایط سویچنگ ولتاژ- صفر‎(zvs)‎‏ و تغییرات سویچنگ ولتاژ- صفر‎(zvds)‎‏ مورد توجه ‏قرار می گیرد. در این شرایط، دوره کاری ترانزیستور نه تنها به عنوان ی

اسناد مشابه