کاربرد سلیکان پلی کریستال در ساخت افزاره های نیمه هادی لایه نازک
چکیده
در این پایان نامه پس از شرحی کوتاه در باره دلیل علاقه به پلی کریستال کردن نیمه هادی برای تولید افزاره های نیمه هادی، مخصوصا" ترانزیستور لایه نازک ، روشهای اصلی پلی کریستالی کردن سلیکان لایه نشانی شده در دمای قابل تحمل توسط شیشه عادی معرفی شده و سرانجام روش جدید بلوری کردن سلیکان با کمک ژرمانیوم و در حضور میدان الکتریکی و در دمای کمتر از 550درجه سانتیگراد ارائه شده است . سپس برای شناسایی کیفیت این روش جدید، با انجام اندازه گیریهای الکتریکی و متالورژیکی، از جمله sem و xrd ، وضعیت سلیکان پلی کریستال شده مورد بررسی قرار گرفته، و کارایی روش جدید بلوری کردن سلیکان، با تولید ساختارهای ترانزیستوری بر روی مناطق بلوری شده آزموده شده است . در انتها نیز با توجه به نتایج بدست آمده، روشهای امیدبخشی برای دستیابی به سلیکان چندبلوره پیشنهاد شده است .